EDI反滲透設(shè)備技術(shù)特點

      1. 簡單合理的運行模式。我們的EDI膜堆采用簡單的運行模式，濃水不加鹽、不循環(huán)，節(jié)省了大量繁瑣的管道連接及附加設(shè)備，系統(tǒng)控制更加簡單。

      2. 優(yōu)良的“免清洗”性能。在滿足進水要求的條件下，EDI膜堆在整個工作壽命過程中不需清洗，也無需單獨高電壓電流再生，性能始終能夠保持穩(wěn)定。膜堆長使用時間已超過七年。

      3. 低能耗。膜堆運行實現(xiàn)低電流、低功率，噸水耗電量≤0.2 kW/h。

      4. 性能穩(wěn)定。特殊的內(nèi)部設(shè)計，保證了水在膜堆內(nèi)部以湍流形式流動，攪拌更加充分。對于尺寸規(guī)格相同的同類型膜堆，在滿足產(chǎn)水量和產(chǎn)水佳水質(zhì)好的前提下，我們的膜堆具有更穩(wěn)定的性能。

      5. 產(chǎn)品規(guī)格齊全。可提供單個膜堆產(chǎn)水量從30 L/h到8 m3/h各種規(guī)格的產(chǎn)品。

      6. 我單位是專業(yè)的電去離子技術(shù)和反滲透——電去離子高純水設(shè)備的成套制造企業(yè)。

 EDI反滲透設(shè)備膜堆進水條件 膜堆進水水質(zhì)應(yīng)滿足：二級RO產(chǎn)水或以符合國家飲用水標準的水為原水制備的滿足以下各項指標的水。項 目 單 位 水質(zhì)指標 電導(dǎo)率 ≤10 pH 6～8 溫度 ℃ 5～35 硬度（以CaCO3計） mg/L ≤0.1 TEA mg/L ≤20 余氯 mg/L ≤0.01 可反應(yīng)硅 mg/L ≤0.5 TOC mg/L ≤0.1 鐵、錳、H2S mg/L ≤0.01 三、EDI膜堆工藝流程