等離子設備 PCB多層板處理
(1)機理：
在真空室內部的氣體分子里施加能量(如電能)，由加速電子的沖撞，使分子、原子的外層電子被激化，并生成離子，或反應性高的自由基。
如此產生之離子、自由基被連續(xù)的沖撞和受電場作用力而加速，使之與材料表面碰撞，并破壞數微米范圍以內的分子鍵，誘導削減一定厚度，生成凹凸表面，同時形成氣體成分的官能團等表面的物理、化學變化，提高鍍銅粘結力、除污等抄板作用。
上述等離子體處理用氣體常見的有氧氣、氮氣和四氟化碳氣。下面通過由氧氣和四氟化碳氣所組成之混合氣體，舉例說明等離子體處理之機理：
(2)用途：
1、凹蝕 / 去孔壁樹脂沾污；
2、提高表面潤濕性(聚四氟乙烯表面活化處理)；
3、采用激光鉆孔之盲孔內碳的處理；
4、改變內層表面形態(tài)和潤濕性，提高層間結合力；
5、去除抗蝕劑和阻焊膜殘留。
(3)舉例：
A．純聚四氟乙烯材料的活化處理
對于純聚四氟乙烯材料的活化處理，是采用單步活化通孔工藝。所用氣體絕大部分是氫氣和氮氣的組合。
待處理板無需加熱，因為聚四氟乙烯被處理成活性，潤濕性有所增加。真空室一旦達到操作壓力，啟用工作氣體和射頻電源。
大多數純聚四氟乙烯抄板的處理僅需約20分鐘。然而，由于聚四氟乙烯材料的復原性能(回復到不潤濕表面狀態(tài))，化學沉銅之孔金屬化處理需在經等離子體處理后的48小時內完成。
B．含填料聚四氟乙烯材料的活化處理
等離子設備 PCB多層板處理
對于含填料的聚四氟乙烯材料制造的印制電路板(如不規(guī)則的玻璃微纖維、玻璃編織增強和陶瓷填充之聚四氟乙烯復合物)，需兩步處理。
*步，清潔和微蝕填料。該步典型之操作氣體為四氟化碳氣、氧氣和氮氣。
第二步，等同于前述純聚四氟乙烯材料表面活化處理所采用的一步法抄板工藝。等離子體刻蝕在集成電路制造中已有40余年的發(fā)展歷程，早70年代引入用于去膠，80年代成為集成電路領域成熟的刻蝕技術。等離子刻蝕采用的等離子體源常見的有容性耦合等離子體(CCP-capacitively coupled plasma)、感應耦合等離子體ICP(Inductively coupled plasma)和微波ECR 等離子體(microwave electron cyclotron resonance plasma)等。雖然等離子體刻蝕設備已廣泛應用于集成電路制造，但由于等離子體刻蝕過程中復雜的物理和化學過程到目前為止仍沒有一個有效的方法*從理論上模擬和分析等離子體刻蝕過程。除等離子刻蝕外，等離子體刻蝕技術也成功的應用于其他半導體制程，如濺射和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。當然鑒于plasma豐富的活性粒子，plasma也廣泛應用于其他非半導體領域，如空氣凈化，廢物處理等。
