等離子源采用頻率為13.56MHz射頻發(fā)生器，同時(shí)具備物理清洗和化學(xué)清洗能力。
電源功率為200W，覆蓋常規(guī)處理需求
創(chuàng)新設(shè)計(jì)，可調(diào)整電極之間距離，調(diào)整等離子體濃度和強(qiáng)度，極大提升處理效率和能力
真空腔體和管道連接件均采用316不銹鋼，電極6061鋁合金，配件材質(zhì)精良，保證設(shè)備穩(wěn)定高效運(yùn)行
樣品處理面積可達(dá)125mm（大處理面積可達(dá)200mm，如有需求請(qǐng)咨詢銷(xiāo)售人員）
4.3寸工業(yè)級(jí)觸摸屏，操作簡(jiǎn)單，可設(shè)置多種實(shí)驗(yàn)參數(shù)
性能穩(wěn)定可靠，質(zhì)量穩(wěn)定，自主研發(fā)，售后有保障
產(chǎn)品參數(shù):
1. 真空腔規(guī)格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L
2. 電極：兩個(gè)自適應(yīng)平板電極，材質(zhì)T6061鋁合金
3. 電極尺寸：120*135mm 間距20~75mm 可調(diào)
4. 等離子體發(fā)生器：RF射頻發(fā)生器，頻率：13.56MHz
5. 功率：0-200W連續(xù)可調(diào)，精度1W
6. 氣體控制：針式氣體流量閥，標(biāo)配1路氣體
7. 控制方式：4.3寸工業(yè)控制觸摸屏
控制軟件功能：界面顯示實(shí)時(shí)工作狀態(tài)，
可顯示設(shè)置值與實(shí)際值，便于實(shí)時(shí)控制。
可自由設(shè)置等離子功率，通入氣體時(shí)間
全手動(dòng)控制和全自動(dòng)控制可選
8. 保護(hù)裝置：一鍵急停保護(hù)按鈕
等離子體表面處理系統(tǒng)Pluto-M?參數(shù)(標(biāo)準(zhǔn)配置) | |||
外部尺寸 | 404*640*515mm |
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真空腔尺寸 | 直徑210mm*230mm | 不銹鋼腔體 | |
電極尺寸 | 125*125mm | 多空自適應(yīng)平板電極 | |
等離子體發(fā)生器 | RF射頻發(fā)生器，頻率：13.56MHz | 自適應(yīng)阻抗匹配電源 | |
功率 | 0-200W連續(xù)可調(diào) | 精度1W | |
真空計(jì) | 熱電偶真空計(jì) 0-1000mT |
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供氣 | 1路氣體 | 6mm國(guó)標(biāo)連接件（軟管） | |
控制方式 | 4.3寸觸摸屏 |
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可 選 配 置 | |||
ALC | 純鋁腔體 |
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RF-300 | 等離子體發(fā)生器 | 頻率13.56MHz ，0-300W自動(dòng)阻抗匹配電源 | |
可調(diào)電極 | 可調(diào)節(jié)電極間距 | 電極間距20-60mm可調(diào)，改變等離子體場(chǎng)濃度特性 | |
CM裝置 | 沉積鍍膜模塊 | 用于改變表面特性： 1. 沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性 2. 沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性 3. 沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結(jié)合效果。 | |
GP裝置 | 氣體純化裝置 |
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PPU | 粉體處理裝置 | 用于處理微納米級(jí)別顆粒 | |
| 氣體收集裝置 | 用于收集等離子體化學(xué)反應(yīng)后的氣體 | |
| 小型氧氣發(fā)生器 | 用于制備氧氣，可取代氧氣罐 | |
| 氣體混合裝置 | 可以根據(jù)可以要求進(jìn)行混氣設(shè)計(jì) | |
| 感應(yīng)耦合模塊 | 感應(yīng)耦合等離子體裝置 | |
| 加熱電極模塊 | 電極可以加熱，室溫~200度可調(diào)。 | |
| 光譜儀模塊 | 可以增加光譜儀的接口，檢測(cè)等離子體光譜變化 | |
| 電極轉(zhuǎn)換模塊 | 可以自由變換電極設(shè)計(jì)，樣品可以放在射頻電極上，也可以放在地電極上。從而實(shí)現(xiàn)不同的處理效果。 | |
