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IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測(cè)試儀

參考價(jià)	￥ 200
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)ITC57300
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2020/11/5 10:14:22
訪問(wèn)次數(shù)910

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IGBT測(cè)試儀軌道交通測(cè)試儀半導(dǎo)體分立器件大功率igbt測(cè)試儀在線檢修用IGBT測(cè)試儀

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

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首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng)，SMT智能首件檢測(cè)儀，首樣檢測(cè)，首板確認(rèn)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

測(cè)量范圍	igbt mos bjt	測(cè)量精度	Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；mm	用途	檢修地鐵汽車
重量	30kg

IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測(cè)試儀場(chǎng)效應(yīng)管耐壓測(cè)試儀，完美的解決了用普通耐壓表測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管靜擊穿的問(wèn)題。能測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管，IGBT管，和普通管的耐壓。

IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測(cè)試儀產(chǎn)品信息

IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測(cè)試儀●　有不少用戶來(lái)電詢問(wèn)有沒(méi)有一種可以直接測(cè)量功率場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT管、可控硅等器件判斷“電流"大小的儀器?　　　　　其實(shí)器件通過(guò)電流的大小的能力是:　　　　　　　　
⑴、和器件芯片的面積成正比。即：芯片面積越大可以通過(guò)的電流就大，反之則小。　　　　　　　　　
⑵、和器件導(dǎo)通時(shí)的壓降成反比。即：通態(tài)壓降越小的管子就可以承受更大的通態(tài)電流?！　　　　　　　　?br />⑶、和器件的散熱面積成正比。即:封裝越大可承受的功耗和電流相對(duì)就大,反之則小。　　　
●　IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測(cè)試儀這三個(gè)因素直接關(guān)系到器件輸出電流能力的大小；由于芯片是封在器件里面的無(wú)法檢測(cè),設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)器件的型號(hào)和封裝及散熱條件也已確定,所以我們只能通過(guò)測(cè)量器件在大電流時(shí)的通態(tài)壓降來(lái)檢驗(yàn)器件的質(zhì)量好壞，為此我們也必須要學(xué)會(huì)看器件的基本參數(shù),在眾多參數(shù)中我們更要知道和輸出電流、輸出功率有關(guān)的參數(shù)?！　　　　　　　　?br />⑴、功率場(chǎng)效應(yīng)管的內(nèi)阻：Rds。如:（IRF3205在62A的條件下測(cè)試 Rds ≤0.008Ω）?！　　　　　　　　?br />⑵、IGBT管的飽和壓降：Vce(sa

關(guān)鍵詞：芯片