硅片紅外探傷系統(tǒng)
太陽(yáng)能多晶硅晶片和單晶硅晶片的生產(chǎn)過程涉及到機(jī)械，濕化學(xué)，熱學(xué)和電子物理過程，從硅碇上切割下的晶片，進(jìn)行蝕刻，摻雜。所有這些工藝過程，以及工藝間的晶片搬運(yùn)，都會(huì)引入應(yīng)力，從而導(dǎo)致晶片的缺陷。例如 微裂紋（包括硅片表層內(nèi)部的微裂紋）、針孔、雜質(zhì)、污垢、內(nèi)部氣泡等。 在制作電池片以前，必須對(duì)晶片進(jìn)行檢測(cè)分級(jí)，穩(wěn)定可靠的識(shí)別缺陷。 右圖的樣品顯示的微裂紋，由于機(jī)械拉伸引起。這類缺陷非常嚴(yán)重，因?yàn)榱鸭y就是潛在的斷裂點(diǎn)。
晶片檢測(cè)的在線和離線解決方案
本晶片檢測(cè)系統(tǒng)依據(jù)太陽(yáng)能光伏工業(yè)需求進(jìn)行設(shè)計(jì)，可集成到生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，也可構(gòu)建獨(dú)立離線式檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)一批晶片的缺陷進(jìn)行檢測(cè)。 這兩種情況都不需要生產(chǎn)線停頓，都可在生產(chǎn)運(yùn)轉(zhuǎn)中實(shí)現(xiàn)測(cè)試。 為了提供精確、穩(wěn)定的檢測(cè)結(jié)果，系統(tǒng)利用高分辨率的行掃描攝像頭，利用增強(qiáng)型近紅外光譜，并配備近紅外光學(xué)優(yōu)化透鏡，利用LED光源（避免鹵素光源照明的缺點(diǎn)），獲取穩(wěn)定、高分辨率圖象，實(shí)現(xiàn)精確檢測(cè)。 強(qiáng)大功能的缺陷分析處理軟件，包括信息預(yù)處理，濾波算法，以及高效的圖象數(shù)據(jù)分析處理算法分辨出灰度圖象非常近似的晶格和微裂紋。避免良品誤判，也避免缺陷晶片混入到下一步工藝— 電池片的生產(chǎn)中。 增加良率，確保有效的質(zhì)量控制，降低了成本，從而實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)效率的提高。
技術(shù)參數(shù)
晶片規(guī)格 5〞~6〞/100um~250um厚度
數(shù)據(jù)采集 ＜=1s （圖象記錄時(shí)間）
測(cè)試節(jié)拍 ＜=1.2 s （連續(xù)兩片晶圓間的間隔）
測(cè)試周期 ＜=2s（從開始檢測(cè)到檢測(cè)結(jié)果顯示）
缺陷類型 微裂紋，大裂紋，針孔，雜質(zhì)
光學(xué)裝置
攝像頭 高分辨率線陣攝像頭，4096象素
分辨率 40um/象素
照明 LED條形光源（近紅外光）
透鏡 高分辨率透鏡
電子設(shè)備
-PC 19〞工業(yè)PC，WinXP操作系統(tǒng)，19〞顯示器
-UPS電源 PC和攝像頭使用不間斷電源（UPS）
接口 數(shù)字I/0接口，24V光耦合信號(hào)
網(wǎng)絡(luò) 10/100/1000 Mbit,RJ 45 連接頭
電源 115~230VAC/50-60Hz/＜1200W
尺寸
測(cè)量傳感器部分 400mm×500mm×500mm（寬長(zhǎng)高），或采用客戶定制尺寸
照明部分 400 mm×400mm×200mm（寬長(zhǎng)高），或采用客戶定制尺寸
軟件截屏
