性能指標(biāo)

1. 電鏡分辨率：
2. 高真空模式：1.0nm @ 15kV；1.6nm @ 1kV；
3. 低真空模式：1.5nm @ 10kV；1.8nm @ 3kV；
4. 電鏡加速電壓：200V～30kV，連續(xù)可調(diào)，電鏡著陸電壓：50V～30kV，束流大小：0.6pA～100nA；
5. 電鏡物鏡模式：磁浸入模式UHR、無磁場(chǎng)模式HR；
6. 檢測(cè)器：高真空二次電子檢測(cè)器(ETD)、極靴內(nèi)二次電子檢測(cè)器(TLD)、極靴內(nèi)背散射電子檢測(cè)器(TLD-B)、低真空二次電子檢測(cè)器(LVD)、低真空超高分辨二次電子探測(cè)器(Helix)、低電壓高襯度背散射電子檢測(cè)器(vCD)、樣品室紅外CCD探測(cè)器；
7. EDS分析分辨率：125eV(Mn Kα)，EDS元素檢測(cè)范圍：Be4-Pu94；
8. EBSD分析：花樣平均角度偏差MAD≤0.5，在線標(biāo)定解析速度：640點(diǎn)/秒(8×8 binning) 

主要應(yīng)用

1. 具有一代高穩(wěn)定性、大束流肖特基電子槍，適用于樣品的在各種條件下的分析。
2. 的電子光學(xué)系統(tǒng)和檢測(cè)性能，包括：磁浸入模式、電子束減速模式、極靴內(nèi)探測(cè)SE/BSE、vCD，能對(duì)信息作選擇和圖像的化。
3. 優(yōu)異的低加速電壓性能，可以獲得更表面的形貌信息，并減小電子束對(duì)樣品損傷。
4. 優(yōu)異的低真空性能，可以對(duì)不導(dǎo)電樣品在不鍍膜的條件下直接進(jìn)行高分辨觀察。 超潔凈的機(jī)械泵和渦輪分子泵真空系統(tǒng)。
5. AZtec系統(tǒng)利用*的Tru-l算法進(jìn)行衍射帶識(shí)別和標(biāo)定，利用更準(zhǔn)確的Tru-Q修正算法進(jìn)行EDS數(shù)據(jù)處理，將EDS和EBSD*集成與一體，可以對(duì)材料的微觀組織進(jìn)行形貌觀察、元素組成及分布、結(jié)構(gòu)和取向等的表征完整，對(duì)未知相進(jìn)行更準(zhǔn)確的鑒定和分析。
6. 可制作3D圖像和進(jìn)行偽色處理。

樣品要求

1. 不含有Fe、Co、Ni，無磁性且不會(huì)被磁化(EBSD樣品除外)；
2. 樣品高度小于15mm，直徑小于30mm；
3. 固體干燥樣品；
4. 微生物類樣品（如孢子等）請(qǐng)先提供相關(guān)文獻(xiàn)，確保無傳染性，否則不予測(cè)試。 

儀器說明

1.  Nova NanoSEM 230掃描電鏡配合超大面積SDD能譜儀和快速型電子背散射衍射EBSD，可應(yīng)用于各種挑戰(zhàn)性的材料的形貌觀察、元素組成和分布測(cè)試、結(jié)構(gòu)和取向分析。
2. 如金屬、納米顆粒和粉體、納米管和納米線等各種納米材料、多孔物質(zhì)(如硅、羥基磷灰石)、 塑料電子器件、玻璃基體材料、有機(jī)材料、高分子物質(zhì)、金剛石薄膜、半導(dǎo)體截面、晶體材料、生物樣品、各類薄膜材料和截面等。