紅外探傷測(cè)試儀 - 主要原理：在特定光源和紅外探測(cè)器的協(xié)助下，HS-NIR-01型紅外探傷測(cè)試儀能夠穿透200mm深度的硅塊，純硅料幾乎不吸收這個(gè)波段的波長(zhǎng)，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜（通常為SiC）、隱裂，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動(dòng)生成三維模型圖像。

多晶硅紅外探傷測(cè)試儀主要由紅外光源，旋轉(zhuǎn)臺(tái)，成像系統(tǒng)構(gòu)成。成像系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置包括光照亮度，對(duì)比度，伽馬射線和一體化的時(shí)間設(shè)置，獲取模式選擇和損壞像素管理。旋轉(zhuǎn)臺(tái)由單軸伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同時(shí)擁有光電編碼器的位置檢查的功能。軟件也可以直接控制伺服電機(jī)。

通常都是在硅塊清洗處理后線切割前進(jìn)行紅外探傷，在線切割前進(jìn)行紅外探傷不僅可以減少線痕片，而且可以減少SiC斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。斷線的修復(fù)是一個(gè)費(fèi)時(shí)費(fèi)力的工作，同時(shí)不是所有的斷線都能夠成功。因此它是多晶硅片生產(chǎn)中*的工具。