Nano Indenter^® G200系統(tǒng)專為各種材料的表征和開發(fā)過程中進(jìn)行納米級(jí)測(cè)量而設(shè)計(jì)。 該系統(tǒng)是一個(gè)可升級(jí)，可擴(kuò)展且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的平臺(tái)，全自動(dòng)硬度測(cè)量可應(yīng)用于質(zhì)量控制和實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。

第五代原位納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)Nano Indenter G200, 在微/納尺度范圍內(nèi)的加載和位移構(gòu)成精確的力學(xué)測(cè)試.

參數(shù)指標(biāo)：

位移測(cè)量方式：電容位移傳感器

壓頭總的位移范圍： ≥ 1.5 mm

壓痕深度： > 500 um

位移分辨率： 0.01 nm

加載模式： 電磁力

載荷 (標(biāo)配)： > 500 mN

載荷分辨率： 50 nN

高載荷選件： 10 N/50 nN

DCM 壓痕選件： 10 mN/1 nN

框架剛度： ≥ 5 x 106 N/m

有效使用面積： 100 mm X 100 mm

定位精度： 1 um

定位控制模式： 全自動(dòng)遙控

總的放大倍率： 250 倍和 1000 倍

物鏡鏡頭： 10 X 和 40 X

應(yīng)用

– 半導(dǎo)體器件, 薄膜

– 硬質(zhì)涂層, DLC薄膜

– 復(fù)合材料, 光纖, 聚合物材料

– 金屬材料, 陶瓷材料

– 無鉛焊料

– 生物材料, 生物及仿生組織等等

的設(shè)計(jì)

所有的納米壓痕試驗(yàn)都取決于精確的加載和位移數(shù)據(jù)，要求對(duì)加載到樣品上的載荷有精確的控制。KT的第五代 G200 型納米壓痕儀采用電磁驅(qū)動(dòng)的載荷裝置，從而保證測(cè)量的精確度，的設(shè)計(jì)避免了橫向位移的影響。

KT的第五代 G200 型納米壓痕儀的杰出設(shè)計(jì)帶來很多的便利性，包括方便的測(cè)試到整個(gè)樣品臺(tái)，精確的樣品定位，方便的確定樣品位置和測(cè)試區(qū)域，簡(jiǎn)便的樣品高度調(diào)整，以及快速的測(cè)試報(bào)告輸出。模塊化的控制器設(shè)計(jì)為今后的升級(jí)帶來極大的方便。

此外，的第五代 G200 型納米壓痕儀符合各種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，保證了數(shù)據(jù)的完整性?？蛻艨梢酝ㄟ^每個(gè)力學(xué)傳感器自主設(shè)計(jì)試驗(yàn)，在任何時(shí)候?qū)ζ溥M(jìn)行切換，同時(shí)整個(gè)設(shè)備占地面積小，適合各種實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。

2017年獲得教科文組織頒獎(jiǎng)的納米科技領(lǐng)域的創(chuàng)新技

NanoSuite的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

– 極其靈活、精確的數(shù)據(jù)采集和控制

– 不斷更新的測(cè)試方法

– 的批處理測(cè)試功能

– 新型的 2D 圖形輸出功能

– 測(cè)試數(shù)據(jù)更有效的分析功能

– PDF 測(cè)試數(shù)據(jù)的直接輸出

– *的自我定制測(cè)試模型的建立

– 非常方便的個(gè)性化測(cè)試方法的建立

– 功能齊全完善的圖像處理功能

– 用戶可輕松的編輯自己的測(cè)試方法以滿足特殊的應(yīng)用與需求

– 定制化的測(cè)試方法同樣可滿足 ISO14577 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

– 提供專業(yè)的建模和仿真軟件, 幫助用戶實(shí)現(xiàn)特殊的離線研究需要

增強(qiáng)的載荷加載系統(tǒng)

新一代 Nano Indenter G200 系列納米壓痕儀是具有從納牛到牛頓完整的加載力范圍，并且不同的加載裝置可自動(dòng)軟件切換，整個(gè)測(cè)試流程都是全自動(dòng)的，極大的提高了測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性和可重復(fù)性，避免了可能的人為因素的影響，確保每個(gè)測(cè)試都是合理、一致、精確。

標(biāo)準(zhǔn)的加載裝置

Nano Indenter G200 納米壓痕儀標(biāo)準(zhǔn)配置是 XP 加載系統(tǒng) (為500mN)， 位移分辨率< 0.01納米，壓入深度> 500 微米,該裝置可應(yīng)用到所有的測(cè)試功能。壓頭更換輕松完成，非常好的機(jī)架剛度極大的減少了系統(tǒng)對(duì)測(cè)試的影響。

高精度加載裝置

DCM II 是高分辨的納米納牛力加載模塊，它既可以單獨(dú)工作，也可以作為一個(gè)附件與Nano Indenter G200 協(xié)同工作。由于其慣性質(zhì)量很低，使得納米壓痕中的初始表面的選取更加靈敏、精確， DCM II 在超低載荷下的納米壓痕測(cè)試具有的精確度和可重復(fù)性，由于它自身的空載共振頻率遠(yuǎn)高于一般建筑物的振動(dòng)頻率，這就使得一般的環(huán)境振動(dòng)對(duì)它幾乎沒有影響，DCM II 具有很寬的動(dòng)態(tài)頻率范圍 (0.1 Hz 到 300 Hz)，所有這些特點(diǎn)使得 DCM II 可以提供同類設(shè)備不可比擬的高信噪比和高可靠性的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，例如右圖所示的藍(lán)寶石上三個(gè)納米深度的壓痕測(cè)試，在幾個(gè)納米的壓痕深度范圍內(nèi)獲得了非常可靠的彈性模量。

大載荷加載裝置

Nano Indenter G200的大載荷加載選件，大大強(qiáng)化了 G200 系列納米壓痕儀的應(yīng)用范圍。這個(gè)選件可以用于標(biāo)準(zhǔn)的 XP 加載模塊，將 G200 型納米壓痕儀的加載能力擴(kuò)展至 10N，可對(duì)陶瓷、金屬塊材和復(fù)合材料進(jìn)行力學(xué)表征。大載荷選件的巧妙設(shè)計(jì)，使得 G200 既避免了在低載荷的情況下犧牲儀器的載荷和位移精度，同時(shí)又保證了用戶在需要大加載力的測(cè)試時(shí)，通過鼠標(biāo)操作就可以在測(cè)試實(shí)驗(yàn)中進(jìn)行無縫加載裝置切換。

產(chǎn)品描述

Nano Indenter^® G200系統(tǒng)是一種準(zhǔn)確，靈活，使用方便的納米級(jí)機(jī)械測(cè)試儀器。 G200測(cè)量楊氏模量和硬度，包括從納米到毫米的六個(gè)數(shù)量級(jí)的形變測(cè)量。 該系統(tǒng)還可以測(cè)量聚合物，凝膠和生物組織的復(fù)數(shù)模量以及薄金屬膜的蠕變響應(yīng)（應(yīng)變率靈敏度）。 模塊化選項(xiàng)可適用于各種應(yīng)用：頻率特定測(cè)試，定量刮擦和磨損測(cè)試，集成的基于探頭的成像，高溫納米壓痕測(cè)試，擴(kuò)展負(fù)載容量高達(dá)10N和自定義測(cè)試。