產(chǎn)品概述
OPTM 系列顯微分光膜厚儀
頭部集成了薄膜厚度測量所需功能
通過顯微光譜法測量高精度反射率（多層膜厚度，光學常數(shù)）
1點1秒高速測量
顯微分光下廣范圍的光學系統(tǒng)（紫外至近紅外）
區(qū)域傳感器的安全機制
易于分析向?qū)В鯇W者也能夠進行光學常數(shù)分析
獨立測量頭對應(yīng)各種inline客制化需求
支持各種自定義
OPTM 系列顯微分光膜厚儀選型表
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
|---|---|---|---|
| 波長范圍 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范圍 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 測定時間 | 1秒 / 1點 | ||
| 光斑大小 | 10μm (*小約5μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源規(guī)格 | 氘燈+鹵素燈 | 鹵素燈 | |
| 電源規(guī)格 | AC100V±10V 750VA（自動樣品臺規(guī)格） | ||
| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自動樣品臺規(guī)格之主體部分) | ||
| 重量 | 約 55kg（自動樣品臺規(guī)格之主體部分） | ||
測量項目：
反射率測量
多層膜解析
光學常數(shù)分析（n：折射率，k：消光系數(shù)）
測量示例：SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量
半導體晶體管通過控制電流的導通狀態(tài)來發(fā)送信號，但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精確的工藝控制，有必要測量這些膜厚度。
