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拋光硅片

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公司名稱(chēng)蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司
品牌
型號(hào)
所在地
廠商性質(zhì)其他
更新時(shí)間2022/11/4 15:18:19
訪問(wèn)次數(shù)404

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司是一家留學(xué)人員回國(guó)創(chuàng)業(yè)的*企業(yè)，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為一體，技術(shù)力量雄厚，生產(chǎn)設(shè)備*，檢測(cè)手段齊全，產(chǎn)品質(zhì)量過(guò)硬。公司建立了完備的微流控芯片研發(fā)與生產(chǎn)中心，配置了三條微流控芯片生產(chǎn)線，包括數(shù)控CNC微加工儀器，軟刻蝕有機(jī)芯片加工系統(tǒng)，光刻-掩模無(wú)機(jī)芯片加工系統(tǒng)，可以加工生產(chǎn)所有材質(zhì)的芯片，如玻璃、石英、硅、PDMS和PMMA等。產(chǎn)品涵蓋集成式通用醫(yī)療診斷芯片、集成式通用環(huán)境保護(hù)分析監(jiān)測(cè)芯片、集成式通用食品安全分析檢測(cè)芯片和基于微流控芯片的新能源體系四大系列數(shù)十個(gè)品種，以及各類(lèi)科研類(lèi)芯片，并在生物芯片和化學(xué)芯片領(lǐng)域一直保持技術(shù)和研發(fā)的前沿地位，擁有102項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，其中：已申請(qǐng)發(fā)明43件，已22件，實(shí)用新型51件，6項(xiàng)國(guó)家計(jì)算機(jī)軟件著作權(quán)，3項(xiàng)國(guó)家注冊(cè)商標(biāo)，獲批*成品3項(xiàng)。蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司提供的產(chǎn)品和服務(wù)按市場(chǎng)可分為科研類(lèi)芯片、儀器標(biāo)配芯片、應(yīng)用類(lèi)芯片及系統(tǒng)和芯片實(shí)驗(yàn)室解決方案。科研類(lèi)芯片服務(wù)于基于微流控芯片的科研工作者，提供包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、玻璃及硅基等各種不同材質(zhì)的微流控芯片的設(shè)計(jì)與制備，用戶只需配置必要的輔助設(shè)備即可使用；儀器標(biāo)配芯片是針對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上微流控芯片儀器開(kāi)發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)芯片，為微流控芯片儀器的核心組件，屬耗材類(lèi)產(chǎn)品，如毛細(xì)管電泳芯片；應(yīng)用類(lèi)芯片及系統(tǒng)是利用微流控芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)開(kāi)發(fā)的分析檢測(cè)裝置，應(yīng)用于環(huán)保、食品安全、藥物篩選等領(lǐng)域；芯片實(shí)驗(yàn)室解決方案為客戶提供完整的一對(duì)一的微流控芯片科研或應(yīng)用的解決方案，分為產(chǎn)品和科技咨詢(xún)兩個(gè)方面：產(chǎn)品包括微流控芯片加工、檢測(cè)儀器設(shè)備配置及微流控芯片配件配置；科技咨詢(xún)?yōu)榭蛻籼峁┙M建芯片實(shí)驗(yàn)室的整體方案、解決微流控芯片應(yīng)用中的技術(shù)難題、微流控芯片項(xiàng)目研發(fā)服務(wù)等。按照現(xiàn)代公司制度規(guī)范運(yùn)作企業(yè)是公司創(chuàng)辦伊始就秉承的基本理念，目前，公司的團(tuán)隊(duì)結(jié)構(gòu)、人事制度、財(cái)務(wù)制度、知識(shí)產(chǎn)權(quán)制度等都已經(jīng)逐步形成和完善。公司的口號(hào)：高品質(zhì)、高信譽(yù)、高效率。公司的宗旨：以發(fā)明創(chuàng)新為龍頭，以科技成果轉(zhuǎn)化為手段，以微流控芯片領(lǐng)域?yàn)橹鲬?zhàn)場(chǎng)，走科研成果商品化，商品產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)業(yè)規(guī)模化和國(guó)際化的道路，以自主創(chuàng)新的核心技術(shù)為基礎(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略為企業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略，整合產(chǎn)業(yè)鏈的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì)資源，打造以自主創(chuàng)新為企業(yè)特色的產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈，塑造民族品牌，迎接國(guó)際化的挑戰(zhàn)。公司宗旨：以發(fā)明創(chuàng)新為龍頭，以科技成果轉(zhuǎn)化為手段，以微流控芯片領(lǐng)域?yàn)橹鲬?zhàn)場(chǎng)，走科研成果商品化，商品產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)業(yè)規(guī)?；蛧?guó)際化的道路。企業(yè)文化：誠(chéng)信、踏實(shí)、優(yōu)質(zhì)！經(jīng)營(yíng)理念：以人為本，精誠(chéng)團(tuán)結(jié)，誠(chéng)信合作，多邊共贏。價(jià)值觀念：追求，勇于創(chuàng)新的企業(yè)形象；高效精干，自強(qiáng)不息的隊(duì)伍形象；求真務(wù)實(shí)，銳意進(jìn)取的干部形象；外在唯美，內(nèi)在唯實(shí)的產(chǎn)品形象；嚴(yán)細(xì)認(rèn)真，科學(xué)規(guī)范的管理形象；誠(chéng)實(shí)守信，超越期望的服務(wù)形象。企業(yè)使命：產(chǎn)業(yè)報(bào)國(guó)、創(chuàng)造價(jià)值、服務(wù)社會(huì)、貢獻(xiàn)人類(lèi)。企業(yè)愿景：做微流控芯片行業(yè)的！蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司以專(zhuān)長(zhǎng)造福顧客和社會(huì)。并做到人無(wú)我有，人有我優(yōu)，人優(yōu)我特、人特我精。以市場(chǎng)為營(yíng)運(yùn)導(dǎo)向、以質(zhì)量為競(jìng)爭(zhēng)前提、以人才為管理核心，持續(xù)雙贏，用心服務(wù)；以?xún)?yōu)于國(guó)內(nèi)、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的廠控標(biāo)準(zhǔn)，滿足顧客對(duì)產(chǎn)品實(shí)物質(zhì)量的期望和需求。力求把產(chǎn)品做到，以自主創(chuàng)新的核心技術(shù)為基礎(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略為企業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略，整合產(chǎn)業(yè)鏈的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì)資源，全心全意為生命科學(xué)服務(wù)！我們始終堅(jiān)持：產(chǎn)品開(kāi)發(fā)創(chuàng)新創(chuàng)先、質(zhì)量管理精益求精。我們也始終堅(jiān)信：態(tài)度決定一切，細(xì)節(jié)決定成敗。

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢(xún)價(jià)

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

拋光硅片產(chǎn)品信息

拋光硅片簡(jiǎn)介

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

拋光硅片參數(shù)及用途：

參數(shù)類(lèi)型	Si技術(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品尺寸	1-4英寸
生長(zhǎng)方法	直拉單晶（Cz）
表面拋光	單面拋光
直徑公差	100.2±0.3mm
摻雜類(lèi)型	摻雜劑（磷或硼）
晶體取向	100 111
電阻率Ω	＜0.0015 Ω.cm 0.001-0.5Ω.cm 1-10Ω.cm
平整度TIR	＜3um
翹曲度TTV	＜10um
彎曲度BOW	＜10um
拋光粗糙度Ra	＜0.5nm
顆粒度Pewaferr	＜（for size＞0.3um）
厚度um	請(qǐng)咨詢(xún)
用途	用于微流控芯片光刻工藝模具、工藝等同步輻射樣品載體、LPCVD/PECVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長(zhǎng)樣品、XRD、SEM、AFM、紅外光譜熒光光譜等分析測(cè)試基底、分子束外延生長(zhǎng)的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體等諸多科研用途。

可提供硅片的型號(hào)

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
1	雙拋	P	100	1--20	100
1	雙拋	P	100	1--10	400
1	單拋	P	100	1--10	1950
1	單拋	P	100	<0.01	1000
1	單拋	P	100	<0.0015	400
直徑35mm	單拋	P	100	0-20	725
1	單拋	P	100	1--10	500
直徑40mm	單拋	P	100	<0.0015	1000
直徑40mm	研磨片	P	100	>2500	530

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
2	單拋	N	100	0.1-0.9	500	2	雙拋	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	<0.005	400	2	雙拋	P	100	20--50	380
2	單拋	N	100	1--10	200	2	雙拋	N	111	45-60	470
2	單拋	N	100	1--10	430	2	雙拋	N	100	1--10	480
2	單拋	N	100	1--10	350	2	雙拋	N	100	1--10	270
2	單拋	N	100	1--10	400	2	研磨片	N	100	1--10	540
2	單拋	N	100	1--10	100	2	本征研磨片	P	100	>2500	440
2	單拋	N	100	0.001-0.005	100	2	研磨片	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	1--10	300	2	研磨片	P	100	0.01-0.001	440
2	單拋	N	111	10--40	400	2	研磨片	P	100	0.01-0.05	540
2	單拋	N	100	1--10	500	2	本征單拋	50.8	100	>2500	400
2	單拋	P	110	1--10	400	2	本征單拋	50.8	111	>2500	500
2	單拋	P	100	<0.0015	1000	2	本征單拋	50.8	111	>1000	400
2	單拋	P	100	1--20	2000	2	本征單拋	50.8	100	>5000	1000
2	單拋	P	100	<0.01	2000	2	本征雙拋	50.8	100	>3000	370
2	單拋	P	100	0.001-0.005	3000	2	本征雙拋	50.8	111	>1000	460
2	單拋	P	100	0.01-0.05	3000	2	本征雙拋	50.8	100	>2000	2000
2	單拋	P	100	0.01-0.05	5000	2	本征雙拋	50.8	100	>2500	1000
2	單拋	P	100	10--30	300	2	本征雙拋	50.8	100	1000-4000	250
2	單拋	P	100	0.001-0.005	280	2	二氧化硅	P	100	1--20	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	10--15	250
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	1--10	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	400

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
3	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	N	111	10--25	450
3	單拋	N	100	>5	400
3	單拋	N	100	0.01-0.09	400
3	單拋	P	100	1--10	200
3	單拋	P	100	10--20	500
3	單拋	P	100	1--10	400
3	單拋	P	100	10--20	380
3	單拋	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	P	111	1--10	1000
3	雙拋	P	100	1--20	400
3	雙拋	N	100	1--10	100
3	研磨片	P	100	1--10	440
3	研磨片	N	100	0.021-0.026	440
3	研磨片	P	100	1--20	460

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號(hào)晶向	規(guī)格	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米
4	單拋	N	100	0.1-0.9	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.05	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	20nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	400	4	雙拋	P	100	10--20	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	50nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	10--20	400	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	1--10	500	4	雙拋	P	100	10--20	300	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	0.1-0.5	300	4	雙拋	P	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	100nm
4	單拋	N	111	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	1--5	250	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10--25	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.02	200	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	250	4	雙拋	P	100	<0.0015	3000	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	300	4	雙拋	N	111	10--25	470	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	300nm
4	單拋	P	｛110｝	1--10	500	4	雙拋	N	100	0.1-0.9	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	1000	4	雙拋	N	100	10--20	200	4	二氧化硅	P<100>	雙拋雙氧	10--30	525	300nm
4	單拋	P	100	5--30	1100	4	雙拋	N	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	2000	4	研磨片	P	100	10--20	570	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	2000	4	本征研磨片	P	100	>4000	530	4	二氧化硅	N<100>	雙氧	0.002-0.004	500	300nm
4	單拋	P	100	<0.0015	3000	4	研磨片	N	111	10-50	530	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	500	4	研磨片	N	111	10--25	300	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	500	4	研磨片	N	100	0.8	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	1000nm
4	單拋	P	100	0.1-0.9	500	4	研磨片	N	100	1--10	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	200	4	單拋本征	100mm	100	>3000	1000	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	1--10	200	4	單拋本征	100mm	100	>4000	200	4	本征+氧化	P<100>	雙氧	>4000	500	300nm
4	單拋	P	100	1--5	250	4	單拋本征	100mm	100	>2000	500
4	單拋	P	100	1--5	240	4	單拋本征	100mm	100	>4000	500
4	單拋	P	100	20--50	500	4	單拋本征	100mm	111	>4000	200
4	單拋	P	100	1--10	500	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	300
4	單拋	P	111	8--13	400	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	200
4	單拋	P	111	0.01-0.015	525	4	雙拋本征	100mm	100	>5000	500
4	單拋	P	111	0.01-0.015	450

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
5	單拋	N	111	10-50	500
5	雙拋	N	111	37-55	470
5	研磨片	N	111	37-55	525
5	腐蝕片	N	111	30-100以上	370

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米	規(guī)格
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	單氧
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	雙氧
6	單拋	P	100	8--15	1000	200	145
6	單拋	P	100	<0.0015	1000	15	145
6	單拋	P	100	0--20	650	250	90
6	單拋	P	100	1--30	650	203	90
6	單拋	P	100	1--30	650	16	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	500	50	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	525	38	90
6	單拋	P	100	1--10	675	27	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	350	1	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	525	24	90
6	單拋	N	111	>10	1000	30	145
6	單拋	N	111	10--50	500	32	90
6	單拋	N	100	0.8-2	675	17	100
6	單拋	區(qū)熔本征	100	675-825	550	21	240
6	單拋	區(qū)熔本征	100	630-1200	625	10	240
6	雙拋	N	100	0.01-0.09	400	24	100
6	雙拋	P	100	20-30	400	3	100
6	雙拋	P	100	0--20	650	81	95