設備概述
反應離子刻蝕(RIE)是利用射頻放電使反應氣體電離產生活性離子,利用活性離子與工件表面材料進行化合生成揮發(fā)性產物被真空泵抽走,從而實現(xiàn)對工件表面材料的去除,屬干法刻蝕設備。廣泛應用于半導體器件、電力電子器件、光電子、太陽能電池、微機械等領域。
設備特點
●反應壓力恒定、自動控制,工藝重復性好
●工藝氣體噴淋耦合,刻蝕均勻性好
●工藝過程自動控制,操作簡單、方便
技術指標
●適用晶片尺寸:4"~8";
●均勻性: ± 5%(片內), ± 3%(批間)
●基片臺冷卻:水冷
應用范圍
用于在基板表面拋光或材料的去除,尤其適用于非金屬材料、氧化物薄膜的快速刻蝕,如多晶硅、SiO2、Si3N4等。