產(chǎn)品概述
±2A/±10V的極化范圍，支持多數(shù)電化學(xué)應(yīng)用：腐蝕、能源、傳感器、生物電化學(xué)。 2A電流輸出可選，到20A，支持化學(xué)電源、燃料電池、電鍍。 良好的電流測(cè)試精度，用于腐蝕、涂層評(píng)價(jià)以及微電極分析。 內(nèi)建FRA頻響分析儀（可選），支持電化學(xué)阻抗測(cè)試，頻率范圍10μHz－1M Hz
產(chǎn)品介紹
高性能的V3電化學(xué)工作站將為您的科研帶來(lái)極大的方便。
|
數(shù)據(jù)采集 | |
數(shù)據(jù)采集 | 3 x 16 bit 500k 樣品/秒 數(shù)模轉(zhuǎn)換 同步電位/電流/輔助 |
時(shí)間分辨率 | 10µs (100k 樣品/秒) |
自動(dòng)噪音濾波 | 可用 |
功率放大器 | |
輸出電壓 | ±12V |
輸出電流 | ±650mA (標(biāo)配) , ±2A (內(nèi)置選配) |
恒電位帶寬 | 1 MHz |
穩(wěn)定性設(shè)定 | 高速/高穩(wěn)定性 (可根據(jù)具體試驗(yàn)設(shè)置) |
切換速度 | >8V/µs |
上升時(shí)間 (-1.0V to +1.0V) | <350 ns |
電位控制 (恒電位模式) | |
施加電位范圍 | ±10V |
施加電位分辨率 | for ±10mV signal = 300nV for ±100mV signal = 3µV for ±1V signal = 30µV for ±10V signal = 300µV |
施加電位精度 | ±0.2% of value ±2mV |
掃速 | 5000 Vs-1 (50 mV step) |
掃速范圍及精度 | ±10V / 300µV |
電流控制 (恒電流模式) | |
施加電流范圍 | ±650mA (標(biāo)配), ±2A (內(nèi)置選配) |
施加電流分辨率 | ±1/32,000 x 全量程 |
施加電流精度 | ±0.2% of reading, ±0.2% of range |
電流量程/分辨率 | ±650mA / 60µA |
最小電流量程/分辨率 | ±200nA / 60 pA |
差分靜電計(jì) | |
輸入范圍 | ±10V |
帶寬 | ≥10MHz (3dB) |
輸入阻抗 | ≥1012 Ω in parallel with ≤5pF (typical) |
漏電流 | ≤5pA at less than 25°C |
CMRR | 60 dB at 100kHz (typical) |
電位測(cè)量 | |
電位測(cè)量范圍 | ±10V |
最小電位分辨率 | 6µV |
電位精度 | ±0.2% of reading±2mV |
電流測(cè)量 | |
電流測(cè)量范圍 | 自動(dòng)量程 (8 量程) 650 mA to 200 nA (8 量程) 2A to 200nA (內(nèi)置選配) |
電流分辨率 | 6pA (200nA 量程) |
電流精度 (DC) | ±0.2% or reading, ±0.2% or range |
帶寬 | 1MHz (signal ≥2mA range typical) |
帶寬噪聲濾波功能 | 有 |
阻抗模塊 (EIS) 選件 | |
模式 | 電位控制/電流控制 |
頻率范圍 | 10µHz to 1MHz |
最小交流電壓幅值 | 0.1mV RMS |
掃描方式 | 線性 or 對(duì)數(shù) |
iR 補(bǔ)償 | |
正反饋 | 有 |
動(dòng)態(tài) iR 補(bǔ)償 | 有 |
接口 (標(biāo)配) | |
數(shù)字輸入/數(shù)字輸出 | 5 TTL logic 輸出, 2 TTL logic 輸入 |
輔助電壓輸入 | 同步測(cè)量電壓及電流; ±10V 范圍, 輸入阻抗10kΩ; Filter: off, 1kHz, 200kHz; BNC connector |
數(shù)模轉(zhuǎn)換 電壓輸出 (標(biāo)配) | ±10V 范圍, 輸出阻抗1kΩ; BNC connector (用于攪拌器，旋轉(zhuǎn)盤(pán)電極等) |
計(jì)算機(jī) / 軟件 | |
通訊接口 | USB模式 |
操作系統(tǒng) | Windows XP Professional (preferred) or Windows 2000 / VISTA / Windows 7 |
PC 配置 (至少需求) | Pentium 4 (1GHz) / 1GB memory 高數(shù)據(jù)采集需要大內(nèi)存 |
軟件 | VersaStudio |
常規(guī) | |
電壓 | 250VA Max. Voltage range 90Vac to 250Vac, 50-60Hz |
尺寸（長(zhǎng)X寬X高） | 16¼” x 15¼” x 3½” 421 x 387 x 89mm |
重量 | 10lbs, 4.5kgs |
使用環(huán)境溫度 | 10°C to 50°C |
濕度 | Maximum 80% non-condensing |
理想溫度 | 25°C |
Dummy Cell 模擬電解池 | 內(nèi)置 (DC only) |
CE 認(rèn)證 | 通過(guò) |
2A 大電流選項(xiàng) | 型號(hào) |
±2A 大電流選項(xiàng)，支持化學(xué)電池、燃料電池及電鍍應(yīng)用 | 2A/VersaSTAT3 |
FRA 頻率響應(yīng)選項(xiàng) | |
內(nèi)置頻率響應(yīng)選項(xiàng)，滿足電化學(xué)阻抗分析，頻率范圍10µHz to 1MHz | FRA/VersaSTAT3 |
高級(jí)混合輸入接口Advanced Auxiliary Interface | |
此 AAI 選項(xiàng)，允許附加一個(gè)帶有4個(gè)A/D轉(zhuǎn)換輸入接口，使得Versastudio software 通過(guò)VersaSTAT主機(jī)獲得更多記錄數(shù)據(jù)。 | AAI/VersaSTAT3 |
電流放大器 | |
在電流放大及通常操作模式之間轉(zhuǎn)換，僅需簡(jiǎn)單的電纜連接。 | 8A/VersaSTAT3 10A/VersaSTAT3 20A/VersaSTAT3 |
電化學(xué)池選件 | |
Corrosion Cell Kit 腐蝕電解池 | K0047 |
Corrosion Flat Cell 平板電解池 | K0235 |
Micro-Cell Kit 微電解池 | K0264 |
Analytical Cell Kit 分析電解池 | RDE0018 |
Tait Cell 涂層評(píng)價(jià)池 | K0307 |
輔助附件 | |
滴汞儀附件 | 303A |
model 303A 滴汞儀附件接口 | 507 |
石英晶體微天平 | QCM922 |
旋轉(zhuǎn)盤(pán)電極 | 616 |
旋轉(zhuǎn)環(huán)盤(pán)電極 | 636 |
VersaStudio 軟件 四種不同功能的 VersaStudio software造就四種VersaSTAT電化學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng):
的V3－Studio軟件支持全系列V3電化學(xué)工作站，包括大電流擴(kuò)展和電流放大設(shè)備。各種系統(tǒng)綜合性的軟硬件結(jié)合，使V3－Studio可以致力于各個(gè)領(lǐng)域中的研究，并且通過(guò)不同的預(yù)算不斷升級(jí)。 軟件提供全面、廣泛的電化學(xué)測(cè)試方法，它不但功能強(qiáng)大，而且便于新手學(xué)習(xí)使用。
| ||
開(kāi)路電位 | 方波伏安 | 控制電位阻抗 |
線性掃描 | 差分脈沖伏安 | 控制電流阻抗 |
循環(huán)伏安 (單次) | 常規(guī)脈沖伏安 | Loop循環(huán)實(shí)驗(yàn) |
循環(huán)伏安 (多次循環(huán)) | 反相常規(guī)脈沖伏安 | 延時(shí)功能 |
階梯線性掃描 | 零阻計(jì)（電化學(xué)噪聲） | 信息提示功能 |
階梯循環(huán)伏安 (單次) | 電偶腐蝕 | 開(kāi)路電位測(cè)試功能 |
階梯循環(huán)伏安 (多次) | 循環(huán)極化 | 輔助輸入界面 |
計(jì)時(shí)電流 | 線性極化 | 外部應(yīng)用觸發(fā) |
計(jì)時(shí)電位 | Tafel塔菲爾曲線 | DAC 輸出控制 |
計(jì)時(shí)電量 | 恒電位 | 電極表面預(yù)處理 |
快速電位脈沖 | 動(dòng)電位 | 預(yù)沉積 |
快速電量脈沖 | 恒電流 | 系統(tǒng)平衡 |
周期電位脈沖 | 動(dòng)電流 | 系統(tǒng)凈化 |
周期電量脈沖 | 動(dòng)態(tài) iR | iR補(bǔ)償測(cè)量 |
