概述
電力系統(tǒng)電壓、無功和諧波三大指標對提高全網經濟效益和改善供電質量至關重要。目前,國內傳統(tǒng)的分組投切電容器補償裝置和固定的電容器組補償裝置的調節(jié)方式是離散的,不能取得理想的補償效果;同時,開關投切電容器組所造成的涌流和過電壓對系統(tǒng)和設備本身都會產生危害;現(xiàn)有動態(tài)無功補償裝置,如相控電抗器(TCR型SVC)不僅價格貴,而且存在占地面積大、結構復雜,維護量大等缺點。磁控電抗器型動態(tài)無功補償裝置(簡稱MCR型SVC),該裝置具有輸出諧波含量小、功耗低、免維護、結構簡單、可靠性高、價格低廉、占地面積小等顯著優(yōu)點是目前國內理想的動態(tài)無功補償裝置。圖1-1為10kVMCR型SVC戶外裝置外觀圖。
MCR主要技術參數(shù)
1.額定容量 : 600~25000 kvar
2.額定電壓 : 6、10、35 kV
4.額定頻率 : 50 Hz
5.相 數(shù) : 3 相
6.總損耗比:2.5 %~1.1 %
7.溫升限值: 繞組平均溫升≤65K,油頂層溫升≤55K
8.冷卻方式: ONAN或ONAF
9. 絕緣水平:額定電壓 6 kV: AC 25 / LI 60 kV
額定電壓 10kV: AC 35 / LI 75 kV
額定電壓 35kV:AC 85 / LI 200 kV(或AC 95 / LI 200 kV)
10.噪 聲: ≤60dB 、 65dB 、70dB 、78dB(或相當于同容量變壓器)
11. 變壓器油:變壓器油45號或25號。
12. 安裝地點:戶內或者戶外
MCR特點
表:磁控電抗器(MCR)與相控電抗器(TCR)的技術經濟比較
項目 | 磁控式電抗器MCR | 相控電抗器TCR |
可靠性 | 可控硅安裝在控制回路,承受的電壓僅為主回路的1%,可靠性高 | 可控硅和電抗器處于同一相電壓之下,降低了可控硅的可靠性,任何一只擊穿,都會使可控硅整體損壞 |
諧波水平 | 諧波含量低,三相角接系統(tǒng)的電流總畸變率THDI 小于5% | 5、7 次諧波的含量豐富,所產生的諧波電流總畸變率THDI 約在20% 左右 |
設備造價 | MCR 體積僅為TCR 的1/3 左右,設備造價低。 | 系統(tǒng)的復雜程度高,設備造價大 |
電磁污染 | 無 | 空心電抗器對周圍輻射大量工頻磁場對人體健康有影響 |
調節(jié)時間 | 0.1~0.3s | 50ms左右 |
環(huán)境要求 | 對諧波、電壓波動等無特殊要求 | 要求較高 |
運行方式 | 連續(xù)調節(jié)(無級) | 連續(xù)調節(jié)(無級) |
運行維護 | 免維護 | 結構復雜,維護量大 |
適用范圍 | 可直接運行于任何電壓等級電網且安裝簡單、調試方便 | 電壓等級越高,困難程度越大 |