該設備為專用電化學拋光設備,是針對半導體、真空、制藥、食品等領域高純凈不銹鋼管的內(nèi)管電化學拋光加工而設計,電化學拋光液在管內(nèi)流動,加工電(陰)極為活動式,加工過程產(chǎn)生的氣體隨藥液排出管外。
設備特點:自動化程度高,生產(chǎn)效率高,可大批量生產(chǎn),質量穩(wěn)定,加工成本低,拋光質量好,光亮度高。
內(nèi)管EP后,Ramin在0.1~0.2μm(2μin~4μin)范圍內(nèi);
鈍化膜層:Cr/Fe>1~1.5,CrO/FeO>1~2;
可符合SEMI F19-0304及ASME BPE-2012相關標準之要求;
設備規(guī)格型號及性能指標:
規(guī)格型號 | 單 位 | MIR-TEP-0 | MIR-TEP-1 | MIR-TEP-2 | MIR-TEP-3 | MIR-TEP-4 |
可加工管徑 | mm | ≤Φ5 | Φ6~13 | Φ14~32 | Φ33~89 | ≥Φ89 |
可加工管長 | mm | ≤2000 | 2000~4000 | 4000~6000 | 4000~6000 | 4000~8000 |
設備功率 | kw | ≤30 | 36 | 48 | 48 | ≥60 |
一次加工量 | 根 | 10~20 | 10~15 | 5~10 | 1~5 | 1~5 |
輔助電極 | 移動式 | 移動式 | 移動式 | 固定式 | 固定式 | |
控制方式 | 手動、自動可選 | |||||
加工質量等級 | 依據(jù)客戶要求而定 | |||||
控制精度 | ≤1% | |||||
設備使用環(huán)境 | 0℃~50 ℃ 環(huán)境溫度下 |
注:特殊加工規(guī)格及尺寸也可根據(jù)客戶需要定作。