產(chǎn)品簡介：SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備，可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護(hù)氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運(yùn)行。根據(jù)金屬的屬性，本機(jī)可采用中頻感應(yīng)加熱電源，以及石墨電阻加熱兩種加熱方式；采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫，使結(jié)晶體按照一定的直徑進(jìn)行控制。
| 產(chǎn)品型號 | SKJ-M50-16金屬晶體生長爐 |
| 安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz（63A空氣開關(guān)），必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶Ø6mm雙卡套接頭） 4、工作臺：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要 |
| 主要特點(diǎn) | 屬于小型晶體生長爐，適合于大專院校、研究所使用。 |
| 技術(shù)參數(shù) | 1、電源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW 2、爐體容積：約100L 3、爐管：石英管或剛玉管 4、坩堝：高純石墨坩堝 5、加熱元件：1800級硅鉬棒 6、溫控系統(tǒng)：50段控溫程序 7、控溫精度：±1℃ 8、工作溫度：連續(xù)工作1600℃，短時間工作1700℃ 9、控溫方式：自動程序控溫 10、生長方法：區(qū)熔法（樣品固定不動，爐體向上移動） 11、移動速度：1mm/h-10mm/h可調(diào) 12、快速移動：手動 13、結(jié)晶轉(zhuǎn)速：1rpm-50rpm 14、真空系統(tǒng)：機(jī)械泵和擴(kuò)散泵 15、極限真空度：10-5torr |
| 標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1、電源控制系統(tǒng)一套 2、機(jī)械控制系統(tǒng)一套 |
| 可選配件 | Kathnal Super-1800級硅鉬棒 |
