真空鍍膜技術(shù)基片升溫低,沉積速率高為主要特點(diǎn),該沉積工藝在電導(dǎo)膜、光學(xué)膜、保護(hù)膜、裝飾膜等諸多方面都有廣泛應(yīng)用。本設(shè)備是集磁控濺射和弧源為一體較為*的生產(chǎn)設(shè)備,可生產(chǎn)不同規(guī)格的金屬膜產(chǎn)品。
主要技術(shù)指標(biāo):
01、整機(jī)外形尺寸:3200×1600X2438mm(長(zhǎng)×寬X高)
真空室外形尺寸:Φ998×700mm(有水冷)
02、極限真空度:6.7×10-4 Pa
03、恢復(fù)真空度:清潔空爐由大氣抽至6.7×10-3 Pa≤30 min
04、壓升率:6 Pa/ h(清潔空爐)
05、功率:
磁控源電源功率:10KVA
弧電源功率:3KVA
06、矩形磁控靶材尺寸:384×131×12mm
07、弧源靶材尺寸:φ100×70mm
08、烘烤溫度:0~500 ℃
09、冷卻水 :流量: 20~35 L / min
10、充氣系統(tǒng):質(zhì)量流量計(jì)3路顯示