BW-3010B
晶體管光耦參數(shù)測(cè)試儀（雙功能版）
BW-3010B型光藕參數(shù)測(cè)試儀是專為各種4腳三極管型的光電耦合器的功能和參數(shù)測(cè)試及參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)判斷測(cè)試。 ，BW-3010B為各種三極管型4腳光藕提供了輸入正向壓降（VF）和輸出反向耐(ICEO)、耐壓BVCEO、傳輸比(CTR)等 。中文軟件界面友好,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的操作和編程,提供了快速的一次測(cè)試條件和測(cè)試參數(shù)的設(shè)定,測(cè)試條件及數(shù)據(jù)同步存入EEPROM中，測(cè)試條件可以任意設(shè)置，測(cè)試正向壓降和輸出電流可達(dá)1A，操作簡(jiǎn)便，實(shí)用性強(qiáng)。廣泛應(yīng)用與半導(dǎo)體電子行業(yè)、新能源行業(yè)、封裝測(cè)試、家電行業(yè)、科研教育等領(lǐng)域來料檢驗(yàn)、產(chǎn)品選型等重要檢測(cè)設(shè)備之一。
產(chǎn)品電氣參數(shù)：
產(chǎn)品信息
產(chǎn)品型號(hào)：BW-3022A
產(chǎn)品名稱：晶體管光耦參數(shù)測(cè)試儀；
物理規(guī)格
主機(jī)尺寸：深 305*寬 280*高 120(mm)
主機(jī)重量：＜4.5Kg
主機(jī)顏色：白色系
電氣環(huán)境
主機(jī)功耗：＜75W
環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）；
相對(duì)濕度：≯85%；
大氣壓力：86Kpa～106Kpa；
防護(hù)條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等；
電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；
工作時(shí)間：連續(xù)；
服務(wù)領(lǐng)域：
應(yīng)用場(chǎng)景：
?選型配對(duì)（在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試，將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對(duì)）
?檢驗(yàn)篩選（研究所及電子廠的質(zhì)量部（IQC）對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
產(chǎn)品特點(diǎn)：
?大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡(jiǎn)潔,操作方面簡(jiǎn)單
?大容量EEPROM存儲(chǔ)器,儲(chǔ)存量可多達(dá)1000種設(shè)置型號(hào)數(shù).
?全部可編程的DUT恒流源和電壓源.
?內(nèi)置繼電器矩陣自動(dòng)連接所需的測(cè)試電路,電壓/電流源和測(cè)試回路.
?高壓測(cè)試電流分辨率1uA,測(cè)試電壓可達(dá)1500V；
?重復(fù)”回路”式測(cè)試解決了元件發(fā)熱和間歇的問題；
?軟件自校準(zhǔn)功能；
?自動(dòng)測(cè)試測(cè)DUT短路、開路或誤接現(xiàn)象,如果發(fā)現(xiàn),就立即停止測(cè)試；
?DUT的功能檢測(cè)通過LCD顯示出被測(cè)器件/DUT的類型，顯示測(cè)試結(jié)果是否合格,并有聲光提示；
?兩種工作模式：手動(dòng)、自動(dòng)測(cè)試模式。
BW-3010B主機(jī)和DUT的管腳對(duì)應(yīng)關(guān)系
型號(hào)類型 | P1 | T1 | P2 | T2 | P3 | T3 | P4 | T4 |
光藕PC817 | A | A測(cè)試端 | K | K測(cè)試端 | E | E測(cè)試端 | C | C測(cè)試端 |
BW-3010B測(cè)試技術(shù)指標(biāo)：
1、光電傳感器指標(biāo):
輸入正向壓降(VF)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2V | 2mV | <1%+2RD | 0-1000MA |
反向電流(Ir)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-200UA | 0.2UA | <2%+2RD | VR:0-20V |
集電極電流(Ic)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-40mA | 0.2MA | <1%+2RD | VCE:0-20V IF:0-40MA |
輸出導(dǎo)通壓降(VCE(sat))
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mV | 1% +5RD | IC：0-40mA IF:0-40mA |
輸出漏電流(Iceo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000mA | 2UA | <2%+2RD | VR:0-20V |
2、光電耦合器：
耐壓(VCEO)測(cè)試指標(biāo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-1400V | 1V | <2%+2RD | 0-2mA |
輸入正向壓降(VF)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2V | 2mV | <1%+2RD | 0-1000MA |
反向漏電流(ICEO)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2000uA | 1UA | <5% +5RD | BVCE=25V |
反向漏電流(IR)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2000uA | 1UA | <5% +5RD | VR=0-20V |
電流傳輸比(CTR)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-9999 | 1% | 1% +5RD | BVCE：0-20V IF:0-100MA |
輸出導(dǎo)通壓降(VCE(sat))
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mV | 1% +5RD | IC：0-1.000A IF:0-1.000A |
可分檔位總數(shù)：10檔
BW-3010B測(cè)試定義與規(guī)范：
AKEC:表示引腳自左向右排列分別為 光耦的,A K E C極.
VF:IF: 表示測(cè)試光耦輸入正向VF壓降時(shí)的測(cè)試電流.
Vce:Bv:表示測(cè)試光耦輸出端耐壓BVCE時(shí)輸入的測(cè)試電壓.
Vce:Ir: 表示測(cè)試光耦輸出端耐壓BVCE時(shí)輸入的測(cè)試電流.
CTR:IF:表示測(cè)試光耦傳輸比時(shí)輸入端的測(cè)試電流。
CTR:Vce:表示測(cè)試光耦傳輸比時(shí)輸出端的測(cè)試電壓。
Vsat:IF:表示測(cè)試光耦輸出導(dǎo)通壓降時(shí)輸入端的測(cè)試電流。
Vsat:Ic:表示測(cè)試光耦輸出導(dǎo)通壓降時(shí)輸出端的測(cè)試電流。
