德國(guó)DIAS紅外探測(cè)器的命名法則：
| 德國(guó)DIAS紅外公司PYROSENS探測(cè)器命名法 | ||||
| 紅外探測(cè)器數(shù)量 | 焦熱電芯片類型 | 電極形狀 | 尺寸 | 內(nèi)件的其它信息 |
| 無(wú) | LT | D | 0.5 | PC |
| 2 | LTA | Q | 1 | lx |
| 3 | LTI | G | 1.2 | lxPC |
| 4 | LTS | 2 | Cx | |
| LTSI | 3 | l10 | ||
| LTMI | l100 | |||
| l10PC | ||||
| l100PC | ||||
| 無(wú)：?jiǎn)卧綔y(cè)器 | 參見(jiàn)下表說(shuō)明 | 參見(jiàn)下表 | 參見(jiàn)下表 | 參見(jiàn)下表 |
| 2：雙元探測(cè)器 | ||||
| 3：三元探測(cè)器 | ||||
| 4：四元探測(cè)器 | ||||
上面列出了所有型號(hào)中可能出現(xiàn)的英文和數(shù)字，分別代表什么意思呢？
| 代碼 | 含義 |
| LT | 鉭酸鋰探測(cè)器, 不帶吸收層，標(biāo)準(zhǔn)厚度，約25µm |
| LTA | LT型號(hào)，帶簡(jiǎn)易吸收層 |
| LTI | 鉭酸鋰探測(cè)器 , 離子蝕刻, 厚度約5µm |
| LTS | LT型號(hào)，帶銀黑吸收層，吸收率約98% |
| LTSI | LTI型號(hào)，帶銀黑吸收層，吸收率約98% |
| LTMI | LTI型號(hào)，帶金屬NiCr吸收層，吸收率約85% |
| D | 圓形敏感區(qū)域, 后續(xù)數(shù)字代表直徑(mm), LT芯片尺寸大于電極 |
| Q | 圓形敏感區(qū)域, 后續(xù)數(shù)字代表一側(cè)直徑(mm), LT芯片尺寸大于電極 |
| G | 圓形敏感區(qū)域, 后續(xù)數(shù)字代表一側(cè)直徑(mm), LT芯片和電極尺寸相同 |
| w/o | 電壓模式，偏差電阻100G歐姆 |
| PC | 熱平衡補(bǔ)償，可以同電壓或電流模式組合(也就是說(shuō)l100PC為電流模式探測(cè)器，帶100G歐反饋電阻和熱補(bǔ)償) |
| lx | 電流模式，帶反饋電阻(標(biāo)準(zhǔn)電阻為10G歐或100G歐) |
| lxPC | 電流模式，帶反饋電阻和熱補(bǔ)償 |
| Cx | 電流模式，帶單電壓供電和反饋電阻(10G歐或100G歐) |
| l10 | 電流模式, 反饋電阻10G歐 |
| l100 | 電流模式, 反饋電阻100G歐 |
| l10PC | 電流模式，反饋電阻10G歐，帶熱平衡補(bǔ)償 |
| l100PC | 電流模式，反饋電阻100G歐，帶熱平衡補(bǔ)償 |
詳細(xì)型號(hào)，請(qǐng)參見(jiàn)：
單元紅外探測(cè)器 , 多元紅外探測(cè)器
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