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MOS/IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)IV曲線掃描

參考價(jià)	￥99.00

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￥99.00

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公司名稱西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)長(zhǎng)禾CNAS
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2025/3/13 11:09:10
訪問(wèn)次數(shù)45

產(chǎn)品標(biāo)簽:

開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試柵極電荷測(cè)試

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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”），位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新，是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的企業(yè)。

作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）正式認(rèn)證的大功率器件測(cè)試服務(wù)中心，長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，致力于為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式、專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室配備功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備和自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。憑借技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測(cè)試、篩選及老化服務(wù)的機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電（風(fēng)電、光伏）、新能源汽車、國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域，為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。

完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)一直是實(shí)驗(yàn)室強(qiáng)化的重點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)室核心團(tuán)隊(duì)研究生占比70%以上，具備深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。在質(zhì)量控制方面，實(shí)驗(yàn)室建立了完善的質(zhì)量管理體系，嚴(yán)格執(zhí)行實(shí)驗(yàn)室管理標(biāo)準(zhǔn)。每個(gè)測(cè)試項(xiàng)目均建立了詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書，確保測(cè)試過(guò)程的標(biāo)準(zhǔn)化和可追溯性，數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。

長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉持“嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)、精益求精”的企業(yè)精神，致力于推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展，助力打造具備競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。未來(lái)，長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)和資源優(yōu)勢(shì)，立足西安，努力成長(zhǎng)為優(yōu)秀的功率半導(dǎo)體測(cè)試與驗(yàn)證服務(wù)平臺(tái)，助力中國(guó)“芯”騰飛！

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功率半導(dǎo)體器件電參數(shù)測(cè)試，可靠性老化測(cè)試，環(huán)境老化，器件極限能力測(cè)試服務(wù)。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

加工定制	是

MOS/IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)IV曲線掃描
功率器件參數(shù)驗(yàn)證與二次篩選測(cè)試：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級(jí)元器件檢測(cè)：針對(duì)新能源汽車領(lǐng)域，提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與驗(yàn)證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實(shí)驗(yàn)：模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
失效分析及可靠性評(píng)估：快速精準(zhǔn)定位元器件失效根因，為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐。

MOS/IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)IV曲線掃描產(chǎn)品信息

MOS/IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)IV曲線掃描MOS/IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)IV曲線掃描-第三方檢測(cè)中心

分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

檢測(cè)能力：檢測(cè)電壓：2000V 檢測(cè)電流：200A；

試驗(yàn)參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

I-V曲線掃描

ID vs.VDS at range of VGS

ID vs.VGS at fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS at fixed ID

RDS vs.ID at several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：7000V，檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

開(kāi)關(guān)特性測(cè)試（Switch）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：開(kāi)通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff、上升/下降時(shí)間tr/tf、開(kāi)通/關(guān)斷延遲時(shí)間td(on)/td(off)、開(kāi)通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復(fù)測(cè)試（Qrr）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時(shí)間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；

柵極電荷（Qg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：10000A

試驗(yàn)參數(shù)：短路電流Isc、短路時(shí)間Tsc、短路能量Esc；

結(jié)電容（Cg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測(cè) 電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；

C-V曲線掃描

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：柵極等效電阻Rg

正向浪涌電流測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗(yàn)參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t

雷擊浪涌 8/20us,10/1000us

雪崩耐量測(cè)試（UIS）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V，檢測(cè) 電流：200A

試驗(yàn)參數(shù)：雪崩能量EAS

介電性測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；

試驗(yàn)對(duì)象：Si、SiC·MOSFET；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V，檢測(cè) 電流：200A

高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span> 150℃；電壓 5000V；

高溫柵偏試驗(yàn)（HTGB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span> 150℃；電壓 100V；

高溫高濕反偏試驗(yàn)（H3TRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span>85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓 4500V；

功率老煉測(cè)試

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V，檢測(cè) 電流：200A

間歇壽命試驗(yàn)（IOL）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測(cè)能力：ΔTj≧100℃ 電壓 60V，電流 50A。

功率循環(huán)試驗(yàn)（PC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT模塊；

檢測(cè)能力：ΔTj=100℃，電壓 30V，電流 1800A；

熱阻測(cè)試（Riath）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗(yàn)對(duì)象：各類二極管；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

失效分析 X-ray

◆ 人機(jī)工程學(xué)設(shè)計(jì)

◆ 編程CNC檢測(cè)及選配旋轉(zhuǎn)工裝

◆ 可實(shí)時(shí)追蹤、目標(biāo)點(diǎn)定位

◆ 高分辨率FPD獲高質(zhì)量圖像

◆ 配置超大載物臺(tái)及桌面檢測(cè)區(qū)域

◆ X射線源：

輸出功率：8W

光管類型：封閉式

管電壓：90kV

焦點(diǎn)尺寸：5μm

環(huán)境老煉

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（HTSL）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、；