VLV22電纜價(jià)格，VLV22電纜報(bào)價(jià)

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硅烷交聯(lián)又稱溫水交聯(lián)，1960年英國康寧公司（Dow-Corning）提出開發(fā)的，也稱為SioplasE法，即硅烷接枝交聯(lián)工藝，它是接枝和擠出分成兩個(gè)工序進(jìn)行，*步由絕緣料廠將硅烷交聯(lián)劑與基料在擠出機(jī)上接枝和擠出造粒，該料粒稱為A料，同時(shí)還提供催化劑和著色劑的母料，稱B料。第二步是電纜廠將A、B料以95:5的比例混合。并在普通擠出機(jī)上擠包在電纜導(dǎo)體上，再放入70℃～90℃溫水中交聯(lián)也可以在蒸汽房中交聯(lián)。該工藝投資成本低，可用一般的擠出機(jī)進(jìn)行加工，材料價(jià)格適中，得到廣泛的應(yīng)用。但也存在著以下缺點(diǎn)：（1）接枝聚乙烯容易與空氣中水分發(fā)生先期交聯(lián)，縮短了貯存時(shí)間，一般貯存期為半年。（2）接枝聚乙烯與催化劑母料的混合物，貯存期一般不超過3h，所以需要邊混合邊擠塑。（3）由于兩步法通過多次混合，容易導(dǎo)致雜質(zhì)的混入，故只能用于10kV及以下電纜絕緣的制造。
  為了 克服Sioplas的局限性，1977年英國BICC和瑞士Mailiefer公司合作，在道康寧公司發(fā)明的兩步法基礎(chǔ)上，又發(fā)明了一步法硅烷交聯(lián)工藝，也稱作Monosil工藝。它將聚乙烯基料、炕氧劑和和液態(tài)硅烷同時(shí)計(jì)量、混合，即是將接枝反應(yīng)和添加催化劑過程合并，并采用長徑比為30:1的擠出機(jī)將絕緣擠包在電纜導(dǎo)體上，即將絕緣層的接枝和擠出由一個(gè)步驟來完成，故稱為一步法。它的材料成本zui低，雜質(zhì)的污染機(jī)會減少，而且材料貯存期可以大大增加。但是這種工藝技術(shù)難度大，設(shè)備投資比二步法大，需要配備一套液態(tài)硅烷的送料系統(tǒng)。
   到了八十年代日本菱克隆公司在吸取兩步法和一步法的優(yōu)點(diǎn)基礎(chǔ)上開發(fā)共聚法。共聚法也是使用硅烷共聚單體——乙烯基-*氧基硅烷，只是采用的工藝不同。該工藝不是把有機(jī)硅烷接枝到聚合物鏈上，而是在聚合過程中導(dǎo)入可水解硅烷，從而產(chǎn)生一種易于加工的硅烷共聚物，具體方法是在高壓反應(yīng)釜中，使乙烯與硅烷共聚單體發(fā)生共聚反應(yīng)，這項(xiàng)工藝的關(guān)鍵是，所選用的共聚單體必須是含有一種能夠與乙烯發(fā)生反應(yīng)生成聚合物鏈的不飽和基團(tuán)。乙烯硅烷共聚物與Sioplas接枝化合物結(jié)構(gòu)上基本相同。
 

第四節(jié)   交聯(lián)方法
   交聯(lián)絕緣的品種雖多，但主要分為物理交聯(lián)和化學(xué)交聯(lián)兩大類。物理交聯(lián)也稱為輻照交聯(lián)一般適用于絕緣厚度較薄的低壓電纜。中高壓電纜一般采用過氧化物交聯(lián)即用化學(xué)方法將線性分子通過化學(xué)交聯(lián)反應(yīng)起來，轉(zhuǎn)化為立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)?；瘜W(xué)交聯(lián)一般可分為過氧化物交聯(lián)和硅烷接枝交聯(lián)兩種?；瘜W(xué)交聯(lián)方法比高能輻射交聯(lián)工藝簡單，操作安全，輻照交聯(lián)聚乙烯的交聯(lián)度約為70%，而化學(xué)交聯(lián)可達(dá)70～90%。
一、輻照交聯(lián)
   1960年美國瑞侃公司（Rachem）就已開發(fā)了輻照交聯(lián)電藍(lán)。這種方法不要求加入交聯(lián)劑。
   五十年代初，美國已經(jīng)發(fā)現(xiàn)用放射性同位素，反應(yīng)堆廢料、反應(yīng)堆輻照本身以及電子加速器的能源來使聚乙烯交聯(lián)。后來發(fā)現(xiàn)，只有電子加速器產(chǎn)生的高能射線才具有足夠的密集輻照功率和使用功率，并可用于電線電纜制造。
   輻照是采用高能粒子射線（如β射線）照射線性分子聚合物，在其鏈上打開兩個(gè)或幾個(gè)線性分子交叉聯(lián)結(jié)起來。輻照交聯(lián)一般適用于絕緣厚度較薄的低壓電纜。它的主要優(yōu)點(diǎn)有：
（1）生產(chǎn)速度快，占用空間小；
（2）可加工材料種類多，如PE、PVC、EPDM、CPE、PP、幾乎所有聚合物，產(chǎn)品品種多；
（3）產(chǎn)品有更好的耐熱、耐磨和較高的電氣性能，可阻燃；
（4）電耗低。
   但也存在一些問題：
（1）設(shè)備一次投資大；
（2）對較大截面電纜的輻照不均勻，經(jīng)反復(fù)輻照后，電纜彎曲次數(shù)太多，不適合于10kV及以上電纜的生產(chǎn)。主要適用于電氣裝備電纜，對較小截面電纜和1kV～10kV架空絕緣電纜也是可以的。
（3）設(shè)備開工率低，利用率不高，成本大。