 |
樂清市輝利電氣有限公司
主營產(chǎn)品： 斷路器，接觸器，繼電器，接近開關(guān)，光電開關(guān)，變頻器，變壓器，低壓電器 |
會(huì)員1.png)
|
樂清市輝利電氣有限公司
主營產(chǎn)品： 斷路器，接觸器，繼電器，接近開關(guān)，光電開關(guān)，變頻器，變壓器，低壓電器 |
| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | |||
|---|---|---|---|---|
|
歐姆龍接近開關(guān)E3Z-R61 E3Z-R81 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E3Z-R61 E3Z-R81高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E3JM-10M4-G 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E3JM-10M4-G高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E3JM-R4M4T-G 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E3JM-R4M4T-G高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E3JM-R4M4-G 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E3JM-R4M4-G高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E3JM-DS70M4T-G 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E3JM-DS70M4T-G-高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E3JK-5M2 E3JM-DS70M4-G 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E3JK-5M2 E3JM-DS70M4-G高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E3JK-R4M1 E3JK-R4M2 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E3JK-R4M1 E3JK-R4M2高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX674 EE-SX470 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)EE-SX674 EE-SX470高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX673 EE-SX673A 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)EE-SX673 EE-SX673A高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX671EE-SX671A 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)EE-SX671EE-SX671A高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)TL-F20ME1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)TL-F20ME1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)TL-N20ME1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)TL-N20ME1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)TL-N5ME1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)TL-N5ME1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)TL-Q5MC1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)TL-Q5MC1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X18MY1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E2E-X18MY1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10MY1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10MY1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5MY1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5MY1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2MY1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2MY1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5Y1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5Y1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
|
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2Y1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2Y1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無金屬物體接近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言 | ||
