GCSTD-D新款GCSTD系列介電常數(shù)諧振腔法測(cè)試儀的詳細(xì)資料：

性能特點(diǎn)

■ 測(cè)試頻率20Hz～2MHz，10mHz步進(jìn)
■ 測(cè)試電平10mV～5V, 1mV步進(jìn)
■ 基本準(zhǔn)確度0.1%
■ 高達(dá)200次/s的測(cè)量速度
■ 320×240點(diǎn)陣大型圖形LCD顯示
■ 五位讀數(shù)分辨率
■ 可測(cè)量22種阻抗參數(shù)組合
■ 四種信號(hào)源輸出阻抗
■ 10點(diǎn)列表掃描測(cè)試功能
■ 內(nèi)部自帶直流偏置源
■ 外置偏流源至40A(配置兩臺(tái)TH1776)(選件)
■ 電壓或電流的自動(dòng)電平調(diào)整(ALC)功能
■ V、I測(cè)試信號(hào)電平監(jiān)視功能
■ 圖形掃描分析功能
■ 20組內(nèi)部?jī)x器設(shè)定可供儲(chǔ)存/讀取
■ 內(nèi)建比較器,10檔分選及計(jì)數(shù)功能
■ 多種通訊接口方便用戶聯(lián)機(jī)使用
■ 2m/4m測(cè)試電纜擴(kuò)展(選件)
■ 中英文可選操作界面

精度要求

在第5章和附錄 A中所規(guī)定的精度是:電容率精度為士1%，介質(zhì)損耗因數(shù)的精度為士(5%士0.0005)。這些精度至少取決于三個(gè)因素:即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實(shí)測(cè)精度;所用電極裝置引起的這些量的校正精度;極間法向真空電容的計(jì)算精度(見(jiàn)表 1).在較低頻率下，電容的測(cè)量精度能達(dá)士(0.1%士。02pF)，介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度能達(dá)士(2%士0.00005)。在較高頻率下，其誤差增大，電容的測(cè)量精度為士(0.5%士0. 1pF)，介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度為士(2%土。.0002).

對(duì)于帶有保護(hù)電極的試樣，其測(cè)量精度只考慮極間法向真空電容時(shí)有計(jì)算誤差。但由被保護(hù)電極和保護(hù)電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點(diǎn)幾，而校正只能計(jì)算到其本身值的百分之幾。如果試樣厚度的測(cè)量能精確士。.005mm，則對(duì)平均厚度為 1. 6mm的試樣，其厚度測(cè)量誤差能達(dá)到百分之零點(diǎn)幾。圓形試樣的直徑能測(cè)定到士0.1%的精度，但它是以平方的形式引人誤差的，綜合這些因素，極間法向真空電容的測(cè)量誤差為10.5%e

對(duì)表面加有電極的試樣的電容，若采用測(cè)微計(jì)電極測(cè)量時(shí)，只要試樣直徑比測(cè)微計(jì)電極足夠小，則只需要進(jìn)行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來(lái)測(cè)量?jī)呻姌O試樣時(shí)，邊緣電容和對(duì)地電容的計(jì)算將帶來(lái)一些誤差，因?yàn)樗鼈兊恼`差都可達(dá)到試樣電容的2%-40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料，計(jì)算邊緣電容的誤差為 10%，計(jì)算對(duì)地電容的誤差為25 。因此帶來(lái)總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當(dāng)電極不接地時(shí)，對(duì)地電容誤差可大大減小。

采用測(cè)微計(jì)電極時(shí)，數(shù)量級(jí)是。.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測(cè)到真值的士0.0003，數(shù)量級(jí)0.0002的介質(zhì)損耗因數(shù)可測(cè)到真值的士。.00005。介質(zhì)損耗因數(shù)的范圍通常是。.0001-0.1，但也可擴(kuò)展到。.1以上。頻率在10MH:和20MHz之間時(shí)，有可能檢測(cè)出。.00002的介質(zhì)損耗因數(shù)。1-5的相對(duì)電容率可測(cè)到其真值的士20o，該精度不僅受到計(jì)算極間法向真空電容測(cè)量精度的限制，也受到測(cè)微計(jì)電極系統(tǒng)誤差的限制

試驗(yàn)步驟

1 試樣的制備

試樣應(yīng)從固體材料上截取，為了滿足要求，應(yīng)按相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)方法的要求來(lái)制備。q氣應(yīng)精確地測(cè)量厚度，使偏差在士(0.2%士。.005mm)以內(nèi)，測(cè)量點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要時(shí)，應(yīng)測(cè)其有效面積。

條件處理

條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行。

測(cè)f電氣測(cè)量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進(jìn)行。在 1MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。此時(shí)，可采用同軸接線系統(tǒng)(見(jiàn)圖 1所示)，當(dāng)用變電抗法測(cè)量時(shí)，應(yīng)提供一個(gè)固定微調(diào)電容器。

結(jié)果

相對(duì)電容率 E,

試樣加有保護(hù)電極時(shí)其相對(duì)電容率。r可按公式(1)計(jì)算，沒(méi)有保護(hù)電極時(shí)試樣的被測(cè)電容Cl,包括了一個(gè)微小的邊緣電容 Ce，其相對(duì)電容率為:。__Cl,二C

公式中:E,— 相對(duì)電容率;Cl,— 沒(méi)有保護(hù)電極時(shí)試樣的電容;C,— 邊緣電容;Co—

法向極間電容;Co和 C。能從表 1計(jì)算得來(lái)。必要時(shí)應(yīng)對(duì)試樣的對(duì)地電容、開(kāi)關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進(jìn)行校正。測(cè)微計(jì)電極間或不接觸電極間被測(cè)試樣的相對(duì)電容率可按表 2、表 3中相應(yīng)的公式計(jì)算得來(lái)。

介質(zhì)損耗因數(shù) tan8

介質(zhì)損耗因數(shù) tans按照所用的測(cè)量裝置給定的公式，根據(jù)測(cè)出的數(shù)值來(lái)計(jì)算。

新款GCSTD系列介電常數(shù)諧振腔法測(cè)試儀