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GCSTD-D新款GCSTD系列 低頻介電常數(shù)測試儀 介電常數(shù)測定儀

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更新時間:2023-06-11 09:11:56瀏覽次數(shù):227次

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新款GCSTD系列 低頻介電常數(shù)測試儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法GB/T1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法ASTM D150/IEC 60250固體電絕緣材料的(恒久電介質(zhì))的交流損耗特性和介電常數(shù)的測試方法

GCSTD-D新款GCSTD系列 低頻介電常數(shù)測試儀的詳細(xì)資料:

滿足標(biāo)準(zhǔn):

GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

GB/T1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法

ASTM D150/IEC 60250固體電絕緣材料的(恒久電介質(zhì))的交流損耗特性和介電常數(shù)的測試方法

影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。

1 頻率

因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和 tans幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和

電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個*值,這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)*值位置。

3 濕度

極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是*的

注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

4 電場強度

存在界面極化時,自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加,其損耗指數(shù)*值的大小和位置也隨此而變。

在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關(guān)

固體絕緣材料

5.1試樣的幾何形狀

測定材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù),*采用板狀試樣,也可采用管狀試樣。在測定電容率需要較高精度時,*的誤差來自試樣尺寸的誤差,尤其是試樣厚度的誤差,因此厚度應(yīng)足夠大,以滿足測量所需要的精確度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點間厚度的變化。

對 1%的精確度來講,1.5mm的厚度就足夠了,但是對于更高精確度,*是采用較厚的試樣,例如6mm-12mm 測量厚度必須使測量點有規(guī)則地分布在整個試樣表面上,且厚度均勻度在士1%內(nèi)。

如果材料的密度是已知的,則可用稱量法測定厚度 選取試樣的面積時應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣電容。測量 10pF的電容時,使用有良好屏蔽保護的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約 1pF,因此試樣應(yīng)薄些,直徑為 10cm或更大些

需要測低損耗因數(shù)值時,很重要的一點是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引人的損耗要盡可能地小,即被測電容和該電阻的乘積要盡可能小 同樣,被測電容對總電容的比值要盡可能地大 *點表示導(dǎo)線電阻要盡可能低及試樣電容要小。第二點表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小,且試樣電容要大。因此試樣電容*取值為20pF,在測量回路中,與試樣并聯(lián)的電容不應(yīng)大于約5pF,

試驗報告

試驗報告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:

絕緣材料的型號名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣 日期(并注明試樣厚度

和試樣在與電極接觸的表面進行處理的情況);

試樣條件處理的方法和處理時間;

電極裝置類型,若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型;

測量儀器;

試驗時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度;

施加的電壓;

施加的頻率;

相對電容率。r(平均值);

介質(zhì)損耗因數(shù) tans(平均值);

試驗 日期 ;

相對電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角,必要時,應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。

新款GCSTD系列 低頻介電常數(shù)測試儀

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