GCSTD-D新款GCSTD系列 低頻介電常數(shù)測(cè)試儀的詳細(xì)資料：

滿足標(biāo)準(zhǔn)：

GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

GB/T1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法

ASTM D150/IEC 60250固體電絕緣材料的(恒久電介質(zhì))的交流損耗特性和介電常數(shù)的測(cè)試方法

影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。

1 頻率

因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和 tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和

電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

溫度

損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)*值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)*值位置。

3 濕度

極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的

注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

4 電場(chǎng)強(qiáng)度

存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)*值的大小和位置也隨此而變。

在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無關(guān)

固體絕緣材料

5.1試樣的幾何形狀

測(cè)定材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)，*采用板狀試樣，也可采用管狀試樣。在測(cè)定電容率需要較高精度時(shí)，*的誤差來自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚度應(yīng)足夠大，以滿足測(cè)量所需要的精確度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化。

對(duì) 1%的精確度來講，1.5mm的厚度就足夠了，但是對(duì)于更高精確度，*是采用較厚的試樣，例如6mm-12mm 測(cè)量厚度必須使測(cè)量點(diǎn)有規(guī)則地分布在整個(gè)試樣表面上，且厚度均勻度在士1%內(nèi)。

如果材料的密度是已知的，則可用稱量法測(cè)定厚度 選取試樣的面積時(shí)應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣電容。測(cè)量 10pF的電容時(shí)，使用有良好屏蔽保護(hù)的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約 1pF,因此試樣應(yīng)薄些，直徑為 10cm或更大些

需要測(cè)低損耗因數(shù)值時(shí)，很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引人的損耗要盡可能地小，即被測(cè)電容和該電阻的乘積要盡可能小 同樣，被測(cè)電容對(duì)總電容的比值要盡可能地大 *點(diǎn)表示導(dǎo)線電阻要盡可能低及試樣電容要小。第二點(diǎn)表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小，且試樣電容要大。因此試樣電容*取值為20pF，在測(cè)量回路中，與試樣并聯(lián)的電容不應(yīng)大于約5pF,

試驗(yàn)報(bào)告

試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:

絕緣材料的型號(hào)名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣 日期(并注明試樣厚度

和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況);

試樣條件處理的方法和處理時(shí)間;

電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型;

測(cè)量?jī)x器;

試驗(yàn)時(shí)的溫度和相對(duì)濕度以及試樣的溫度;

施加的電壓;

施加的頻率;

相對(duì)電容率。r(平均值);

介質(zhì)損耗因數(shù) tans(平均值);

試驗(yàn) 日期 ;

相對(duì)電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時(shí)，應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。

新款GCSTD系列 低頻介電常數(shù)測(cè)試儀

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