介紹了電力電子器件和變頻技術(shù)的發(fā)展過程，直流高壓發(fā)生器以及變頻技術(shù)在家用電器的應(yīng)用,分析了變頻技術(shù)的應(yīng)用也帶來了諧波、電磁干擾和電源系統(tǒng)功率因數(shù)下降等問題。提出了相關(guān)的諧波抑制方法及提高電源系統(tǒng)功率因數(shù)的措施。關(guān)鍵詞：電力電子器件；變頻技術(shù)；諧波；功率因數(shù) 引言 　　隨著電力電子、計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展，直流高壓發(fā)生器交流調(diào)速取代直流調(diào)速已成為發(fā)展趨勢(shì)。變頻調(diào)速以其優(yōu)異的調(diào)速和啟、制動(dòng)性能被國(guó)內(nèi)外*為是zui有發(fā)展前途的調(diào)速方式。變頻技術(shù)是交流調(diào)速的核心技術(shù)，電力電子和計(jì)算機(jī)技術(shù)又是變頻技術(shù)的核心，而電力電子器件是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)。電力電子技術(shù)是近幾年迅速發(fā)展的一直流高壓發(fā)生器種*，廣泛應(yīng)用于機(jī)電一體化、電機(jī)傳動(dòng)、等領(lǐng)域，現(xiàn)已成為各國(guó)競(jìng)相發(fā)展的一種*。專家預(yù)言，在21世紀(jì)高度發(fā)展的自動(dòng)控制領(lǐng)域內(nèi)，計(jì)算機(jī)技術(shù)與電力電子技術(shù)是兩項(xiàng)zui重要的技術(shù)。 一、電力電子器件的發(fā)展過程 　　上世紀(jì)50年代末晶閘管在美國(guó)問世，標(biāo)志著電力電子技術(shù)就此誕生。*代電力電子器件主要是可控硅整流器（SCR），我國(guó)70年代將其列為節(jié)能技術(shù)在全國(guó)推廣。然而，SCR畢竟是一種只能控制其導(dǎo)通而不能控制關(guān)斷的半控型開關(guān)器件，在交流直流高壓發(fā)生器傳動(dòng)和變頻電源的應(yīng)用中受到限制。70年代以后陸續(xù)發(fā)明的功率晶體管（GTR）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（Power MOSFET）、絕緣柵晶體管（IGBT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）和靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）等，它們的共同特點(diǎn)是既控制其導(dǎo)通，又能控制其關(guān)斷，是全控型開關(guān)器件，由于不需要換流電路，故體積、重量較之SCR有大幅度下降。當(dāng)前，IGBT以其優(yōu)異的特性已成為主流器件，容量大的GTO也有一定地位。 　　許多國(guó)家都在努力開發(fā)大容量器件，國(guó)外已生產(chǎn)6000V的IGBT。 IEGT（injection enhanced gate thyristor）是一種將IGBT和GTO的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來的新型器件，已有 1000A/4500V的樣品問世。IGCT（integrated gate eommutated thyristor）在GTO基礎(chǔ)上采用緩沖層和透明發(fā)射極，它開通時(shí)相當(dāng)于晶閘管，關(guān)斷時(shí)相當(dāng)于晶體管，從而有效地協(xié)調(diào)了通態(tài)電直流高壓發(fā)生器壓和阻斷電壓的矛盾，工作頻率可達(dá)幾千赫茲[2][3]。瑞士ABB公司已經(jīng)推出的IGCT可達(dá)4500一 6000V，3