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更新時間:2018-06-21 17:02:31瀏覽次數(shù):633次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線PE-ALD等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng),系統(tǒng)電氣*符合CE標準;該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度,廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。
一、設(shè)備概述:
PE-ALD等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng),系統(tǒng)電氣*符合CE標準;該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度,廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。
此系統(tǒng)包含用于原子層沉積的3路前驅(qū)體源、4通道質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)、各部件加熱器系統(tǒng)、精密控溫樣品臺系統(tǒng)等。該管式爐系統(tǒng)為熱壁反應(yīng)室工藝,它的主要優(yōu)勢是在反應(yīng)室側(cè)壁上所淀積的也都是高品質(zhì)的ALD薄膜,熱壁反應(yīng)室設(shè)備往往能阻止薄膜的早期剝離,由于從加熱的側(cè)壁脫附的反應(yīng)源流量較高,從而加速了對反應(yīng)空間的清潔。
此套設(shè)備可作為單獨的CVD、PECVD、ALD、PEALD使用。搭建等離子增強原子層沉+化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PE-ALD-CVD),用于生長各類材料。
二、技術(shù)指標:
1. 控制閥門動作等整套系統(tǒng)采用PLC觸摸屏控制;
2. 基片加熱溫度:室溫~1000℃,升溫速率10℃/min,控制精度±1℃,可自動左右移動實現(xiàn)快速升降溫,移動速度可調(diào)實現(xiàn)階梯鍍膜。
3. 前驅(qū)體輸運系統(tǒng):標準3路前驅(qū)體管路,可選配;
4. 前驅(qū)體預(yù)熱溫度:室溫~1000℃,控制精度±1℃;
5. 源瓶/氣體管道加熱溫度:室溫~200℃,控制精度±1℃;
6. ALD閥Swagelok快速高溫ALD閥(小可在10ms完成閥門的開啟或關(guān)閉);
7. 管內(nèi)真空<10Pa,可自動平衡管內(nèi)真空度;
8. 載氣系統(tǒng)N2或者Ar;
9. 生長模式:高速沉積模式和停留生長模式;
10. 等離子體源:300W;
11. 可選購氣液混合裝置,用于CVD系統(tǒng),可選購恒溫控制模塊;
12. 電源 50-60Hz, 220V/5Kw交流電源
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