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電子廠廢水處理工藝

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電子廠廢水處理工藝電子廠所排岀的低濃度清洗廢水及高濃度廢棄槽液,濃度髙低相差極大,而性質(zhì)回異,對(duì)應(yīng)的印刷電路板/電子廠廢水處理方式亦有很大之差異,因此卬刷電路板/電孑廠廢水管末處理,首重不同性質(zhì)廢水分流收集及個(gè)別處理,以免相互干擾,增加卬刷電路板/電子廠廢水處理難度

詳細(xì)介紹

電子廠廢水處理工藝

電子廠所排岀的低濃度清洗廢水及高濃度廢棄槽液,濃度髙低相差極大,而性質(zhì)回異,對(duì)應(yīng)的印刷電路板/電子廠廢水處理方式亦有很大之差異,因此卬刷電路板/電孑廠廢水管末處理,首重不同性質(zhì)廢水分流收集及個(gè)別處理,以免相互干擾,增加卬刷電路板/電子廠廢水處理難度。
電子廠所產(chǎn)生之廢水量相當(dāng)大,主要污染成份以COD及重金屬爲(wèi)主。過去國(guó)內(nèi)通常采用重金屬化學(xué)混凝沉淀法,以堿劑使廢水中金屬離子形成氫氧化物膠羽后,再以沉淀分離方式去除。但因卬刷籛路板/電孑廠廢水中含有螫合性成份(如EDTA,氨等),造成處理上比較困難。

電子廠廢水處理方法
1、有機(jī)干膜法:往廢水中添加FeCL3,用調(diào)節(jié)βH至2(緩慢添加H℃L),然后用a○3將ρH調(diào)節(jié)到7。然后將此處理后的處理液與一般有機(jī)廢水混合一起處理。其機(jī)理大約爲(wèi):利用Fθ3+的高電荷將廢水中部分帶負(fù)電荷的有機(jī)物電荷中和,使其沉淀;使用將βε調(diào)節(jié)至

2,其將廢水中未被電荷中和,引起沉淀的有機(jī)物酸化形成干膜。而使用caC○3其作用類似于凝聚劑使得廢水中的懸浮顆粒沉淀。

2、Feηton法:將高濃度有機(jī)廢水酸化去除干膜后,調(diào)節(jié)PH至4-5,添加Feηtoη試劑,氧化廢水中部分有機(jī)物,反應(yīng)完成后添加Na2sυ3或?qū)H調(diào)節(jié)至η10以便使得過量的H0。去除,然后將此預(yù)處理后的處理液與一般有機(jī)廢水混合后一起處理。其反映機(jī)理為
Fe2+++202 Fe3++oH+OH
Fe3++H202-Fe2+>+00H+. H

3、 UVFenton法:此法與單獨(dú)的 Fenton法相似,衹不過在處理過程中增加UV光促使產(chǎn)生更多更快的OH氫氧自由基,從而加速氧化反應(yīng)的進(jìn)行。此方法的優(yōu)點(diǎn):在UV光作用下產(chǎn)生的oH氫氧自由基,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了單純的 Fenton法,將反應(yīng)的時(shí)間有所減短,從而氧化反應(yīng)也較*。

4、U∨-H20法:將廢水PH調(diào)節(jié)至酸性,添加到反應(yīng)系統(tǒng)中的H2○2在UV光的照射下,將產(chǎn)生OH氫氧自由基對(duì)廢水中的有機(jī)物進(jìn)行氧化,從而降低CoD。其反應(yīng)機(jī)理爲(wèi):H202+hν-20H。此后OH氫氧自由基對(duì)廢水中的有機(jī)物氧化作用與上述的相同。在處理高濃度有機(jī)廢水時(shí),建議先對(duì)廢水進(jìn)行酸化處理,可減輕后處理的負(fù)荷。因酸化時(shí)將產(chǎn)生大量的黏度很高的廢干膜,若未及時(shí)對(duì)其進(jìn)行處理,它將會(huì)黏附在處理槽壁上,若時(shí)間長(zhǎng)后無論用何化學(xué)方法都處理不掉的。

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