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深圳市華科智源科技有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)PT1224
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
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更新時(shí)間:2023-04-04 15:01:50瀏覽次數(shù):243次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通,并測(cè)量過程中各 種動(dòng)態(tài)參數(shù),特別是在不同母線電壓,不同溫度下參數(shù)差異, 是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種 動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。
1 原理簡述
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通,并測(cè)量過程中各 種動(dòng)態(tài)參數(shù),特別是在不同母線電壓,不同溫度下參數(shù)差異, 是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種 動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。
2 原理框圖
3 主要作用
1 、測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù);
2 、評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能;
3 、獲取 IGBT 在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù),以評(píng)估 Rgon及 Rgoff 的數(shù)值是否合適;
4 、開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩;
5 、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量;
6 、IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適,關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩;
7 、評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性;
8 、測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。
可兼容 TO-252 、TO263 、TO-3P 、TO-247 、ME4 、HP1 、Hpdriver 等封裝; 如特殊封裝可 以定制開發(fā)適配版。
1 主要參數(shù)
電源范圍 | 0~1000VDC |
加熱范圍 | 室溫~200℃ |
測(cè)試電流 | 0~2400A |
負(fù)載電感 | 50uH/100uH/200uH/500uH (標(biāo)配 2 種) |
脈寬調(diào)制范圍 | 5~400us |
脈寬顯示屏 | 4 寸 |
2 通過此設(shè)備與示波器連接測(cè)試項(xiàng)目
開通參數(shù) | 關(guān)斷參數(shù) | FDR 反向恢復(fù)參數(shù) |
開通尖峰電流 Ic-peak max | 關(guān)斷尖峰電壓 Vce-peak max | 反向恢復(fù)電流 IRM |
開通時(shí)間 Ton | 關(guān)斷時(shí)間 Toff | 反向恢復(fù)損耗 Erec |
開通延遲 Td-on | 關(guān)斷延遲 Td-off | 反向恢復(fù)時(shí)間 Trr |
開通電壓變化率 dv/dt-on | 關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off | 反向恢復(fù)電荷 Qrr |
開通電流變化率 di/dt-on | 關(guān)斷電流變化率 di/dt-off | 反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak |
開通電壓下降時(shí)間 tf-v-on | 關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off | 前沿電流變化率 di/dt-r |
開通電流上升時(shí)間 tr-i-on | 關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off | 后沿電流變化率 di/dt-f |
開通損耗 Eon | Ic 拖尾電流值 It | 反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr |
Ic 拖尾時(shí)間 Tt | 反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak | |
關(guān)斷損耗 Eoff |
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