設備擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統(tǒng)內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。面板顯示裝置可及時顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過功能按鍵，系統(tǒng)可以脫離主控計算機獨立完成多種工作。系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電......

詳細介紹

設備擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補

償由于系統(tǒng)內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。

面板顯示裝置可及時顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過功能按鍵，系統(tǒng)可以脫離主控計算機獨立完成多種工作。

系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。

基礎配置：

技術參數	ENJ2005-A型
主極電壓	10mV-2000V
主極電流	100nA-50A
擴展電流	100A、200A、400A、500A
電壓分辨率	1mV
電流分辨率	100nA
測試精度	0.5%+2LSB
測試速度	0.5mS/參數

測試參數：

漏電參數：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數：hFE、CTR、gFS、
導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關斷參數：VGSOFF
觸發(fā)參數：IGT、VGT
保持參數：IH、IH+、IH-
鎖定參數：IL、IL+、IL-

系統(tǒng)特征：

● 測試范圍廣（19大類，27分類）
●升級擴展性強，通過選件可提高電壓電流，和增加測試品種范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A
● 采用脈沖測試法，脈沖寬度為美軍標規(guī)定的300uS
● 被測器件引腿接觸自動判斷功能，遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試，確保被測器件不受損壞
● 真正的動態(tài)跨導測試。（主流的直流方法測動態(tài)跨導，其結果與器件實際值偏差很大）
● 系統(tǒng)故障在線判斷修復能力，便于應急處理排除故障
● 二極管極性自動判別功能，無需人工操作

系統(tǒng)特征：

● IV曲線顯示/局部放大

● 程序保護電流/電壓,以防損壞

● 品種繁多的曲線

● 可編程的數據點對應

● 增加線性或對數

● 可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱

● 保存和重新導入入口程序

● 保存和導入之前捕獲圖象

● 曲線數據直接導入到EXCEL

● 曲線程序和數據自動存入EXCEL

● 測試范圍廣（19大類、27分類）

曲線測試：

ID vs. VDS at range of VGS

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS

IDSS vs. VDS / HFE vs. IC

BVCE（O,S,R,V） vs. IC

BVEBO vs. IE

BVCBO vs. IC

VCE（SAT） vs. IC

VBE（SAT） vs. IC

VBE（ON） vs. IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF

測試參數：

漏電參數：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

擊穿參數：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO

增益參數：hFE、CTR、gFS

導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

關斷參數：VGSOFF

觸發(fā)參數：IGT、VGT

保持參數：IH、IH+、IH-

鎖定參數：IL、IL+、IL-

混合參數：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

間接參數：IL

配置規(guī)格：

配置		規(guī)格/環(huán)境
主極電壓	1mV-2000V	尺寸	450×570×280（mm）
電壓分辨率	1mV	質量	35kg
主極電流	0.1nA-50A	工作電壓	200V-240V
擴展電流	100A	電源頻率	47Hz-63Hz
電流分辨率	0.1nA	工作溫度	25℃-40℃
測試精度	0.2%+2LSB	通信接口	RS232 USB
測試速度	0.5mS/參數	系統(tǒng)功耗	<150w

測試范圍：

01	二極管 / DIODE
02	晶體管 / NPN型/PNP型
03	J型場效應管 / J-FET
04	MOS場效應管 / MOS-FET
05	雙向可控硅 / TRIAC
06	可控硅 / SCR
07	絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT
08	硅觸發(fā)可控硅 / STS
09	達林頓陣列 / DARLINTON
10	光電耦合 / OPTO-COUPLER
11	繼電器 / RELAY
12	穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER
13	三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR
14	光電開關 / OPTO-SWITCH
......其它器件共19大類27分類

電源作所有電子產品的心臟，無處不在，據不統(tǒng)計，電子產品損壞的故障60%源自于電源，但目前電源行業(yè)似乎成了門檻很低的行業(yè)，似乎搞清楚幾種典型的拓撲，知道變壓器怎么繞的就可以做好電源。其實，業(yè)類人士都知道，做一個好的電源使其輸出5V電壓并不難，難的是做好一個電源，在不同環(huán)境溫度，不同輸入電壓，不同負載下工作，滿足各種EMC指標，散熱良好，具有電路保護等功能的電源難度就很大了，電源仍然是高技術難度的行業(yè)。開關電源核心的整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路，電路保護功能等都離不開各種晶體管，MOS，IGBT等。

隨著泰克經典圖示儀370B停產多年，并淡出人們視線，傳統(tǒng)的圖示儀在精度，量程，可靠性以及可生成曲線種類的局限性，無法編程控制，數據沒法回溯，數據存儲操作復雜，測試效率低等多方面的因素，在電源設計，來料檢驗以及失效分析等環(huán)節(jié)有相當大額局限性，尤其在高效率精密電源的關鍵元器件的選型和質量管控上更是顯得捉襟見肘；

下面我們來具體了解下 HUSTEC-5000晶體管圖示儀的相關應用:
在電源設計階段，工程師們?yōu)榱诉_成預定的設計目標，在前期器件選型的過程中會謹慎的留有余量，并會持續(xù)關注器件的真實反應是否和規(guī)格書datesheet上的表述那樣。開關電源的核心器件離不開各種開關管，通常見的是 MOSFET，大功率的會用到IGBT，照明電源三極管居多。
我們以MOSFET為例子，下面是用華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀實測的一顆 IRF610得到的輸出特性曲線，曲線反應了漏源電壓VDS對Id的影響；

從圖中我們能夠清楚地看到可變電阻區(qū)，當VDS較小時，ID與VDS呈線性關系，隨著VGS增加，對應的曲線的斜率也相應增大，此時可以近似看作是一個可用VGS調節(jié)的可變電阻。在平常使用過程中，MOSFET作為壓控電阻時我們比較關注這段曲線的情況。在飽和區(qū)時可以看出VDS的增大時不會影響到ID，這是我們關注的的電氣特性。通過曲線特征觀測，工程師就能很明確的了解選用的器件特性如何，給器件選型提供判定的依據。

RDS（on）也是器件選型中很關鍵的參數，RDS（on）小的話有利于減少溫升，但這個參數不是越小越好，還要考慮電路的驅動能力以及工作頻率。通過HUSTEC-5000可以非常直觀的看到器件RDS（on）與ID之間的關系，隨著ID的增加RDS（on）會稍微變大，但是當ID達到一定值之后，RDSON顯著增加，說明這個階段升溫比較快。如上圖所示。

再看看VGS對RDS（on）的影響,開始的時候電阻很大，隨著VGS增大器件導通并保持*的阻值。

另外我們關注的截止狀態(tài)IDSS對應VDS的曲線也很容易實現，一眼就能看到擊穿點的位置。

華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀能夠測試的元器件種類很多，二極管、穩(wěn)壓管、可控硅、光耦、IGBT等等，單一器件的輸出曲線特性種類很豐富，上面僅就MOSFET舉個例子。更關鍵的是的曲線是程控的，所有的測試條件都可以保存為一個程序，同一個器件或者同一批次的器件下次再做測試的時候，可以直接調用之前保存的程序，基于Window界面的操作軟件，非常簡單，只需要完成簡單的填空就可以。

測試數據可以直接保存在Excel表格里面，以便于進一步的分析和處理，如下圖所示。

在測試指標通過，進入量產階段，HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀仍然會有很大的用途，在器件來料檢驗階段，實力雄厚的大廠往往對品質要求非常之嚴格，格外的注重自身品牌的影響力。雖然選擇的器件是的器件，但是他們的來料檢驗還是必要的，有些元器件一級級的分很多代理去銷售，代理商之間可能會相互串貨，不怕一萬就怕萬一，難保會有緊俏缺貨的時候，市場又魚龍混雜，打著同樣mark的料，可能身世各不相同。
測試量大就更要求程序控制，高速自動測試的同時數據自動存儲在EXCEL，良品不良品能夠進行自動判定。不管是NMOS還是PMOS，還是二三極管，IGBT等等都可以測試，如下圖所示幾乎規(guī)格書上會有的所有DC參數都涵蓋了。

而產品量產階段同樣會有尋找成本更低并且仍能滿足要求的替代器件的需求。成本的降低會直接導致利潤的提高，這時候華科智源 ENJ2005系列晶體管圖示儀能夠通過測試數據對比，來判定新找的器件是能夠有效替代。
HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀還有一個非常有效的應用領域，就是失效分析領域，在發(fā)生品質事故時，往往需要做失效分析，這是HUSTEC-5000會成為一個得力的助手。在一些半導體生產廠家如銀茂微電子，力特電子等，甚至一些第三方的專門做失效分析的檢測機構，如深圳美信檢測，深圳帆泰檢測也在使用HUSTEC-5000做檢測，所以它的測試結果很有說服力。