MDPspot少子壽命測(cè)試儀

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更新時(shí)間：2024-04-02 17:37:52瀏覽次數(shù)：146次

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束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

低成本桌面單點(diǎn)測(cè)量硅片或晶磚，用于在不同制備階段表征各種不同的硅樣品，無(wú)需內(nèi)置自動(dòng)化?？蛇x手動(dòng)操作的z軸厚度高達(dá)156毫米的硅磚樣品，高達(dá)156毫米硅磚，結(jié)果可視化的標(biāo)準(zhǔn)軟件。

詳細(xì)介紹

MDPspot W

包括一個(gè)額外的電阻率測(cè)量選項(xiàng)。測(cè)量硅的電阻率，可用于沒(méi)有高度調(diào)節(jié)可能性的晶圓，或晶磚。必須預(yù)先定義這兩個(gè)選項(xiàng)中的一個(gè)。

特點(diǎn)：

◇ 無(wú)接觸無(wú)破壞的電學(xué)半導(dǎo)體特性

◇ 包括μ-PCD測(cè)量選項(xiàng)

◇ 對(duì)迄今為止看不見(jiàn)的缺陷的可視化和外延層的研究具有的靈敏度

◇ 集成多達(dá)四個(gè)激光器，用于寬的注入水平范圍

◇ 獲取單次瞬變的原始數(shù)據(jù)以及用于特殊評(píng)估目的的地圖

技術(shù)規(guī)格:

單晶或多晶片、晶磚、電池、硅片、鈍化或擴(kuò)散等不同生產(chǎn)步驟后的晶片
樣品尺寸	50 x 50 mm2 以上到 12“ 或 210 x 210 mm2
電阻率	0.2 - 103Ω·cm
材料	晶片、晶磚、部分或加工的硅片、化合物半導(dǎo)體等
測(cè)量參數(shù)	載流子壽命
尺寸	360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg
電力	110/220 V, 50/60 Hz, 3 A