用PECVD法在相反織構(gòu)ZnO:Al上沉積了p-μc-Si:H地膜，鉆研了相反織構(gòu)ZnO:Al與p-μc-Si:H地膜的接觸特點(diǎn)，鉆研后果表明：在織構(gòu)后的ZnO:Al上沉積的p-μc-Si:H地膜的晶化率均大于在未織構(gòu)的ZnO:Al上沉積的p-μc-Si:H地膜，且織構(gòu)ZnO:Al與p-μc-Si:H地膜的接觸電阻也均小于未織構(gòu)的，且織構(gòu)工夫*點(diǎn)為15s。

　　因?yàn)榘氤瑢?dǎo)體資料的地膜化可以大幅度升高月亮電池組的利潤，地膜月亮電池組的鉆研曾經(jīng)變成下一代光伏鉆研的要害[1~3]。硅地膜月亮電池組的鉆研是熱點(diǎn)，所以做作界中硅地膜原資料豐盛，而且硅地膜月亮電池組的制備技能也容易，便于大面積陸續(xù)、主動(dòng)化生產(chǎn)，無助于于未來的財(cái)物化停滯[4~5]。在硅地膜月亮電池組的鉆研中，微晶硅地膜月亮電池組的鉆研曾經(jīng)變成焦點(diǎn)，所以微晶硅地膜月亮電池組的穩(wěn)固性好，同非晶硅地膜月亮電池組組成疊層電池組將充足天時(shí)用月亮光譜，普及電池組的光電轉(zhuǎn)換效率[6~7]。

　　微晶硅地膜電池組通常采納的構(gòu)造glass/TCO/pin或nip/TCO/Al或Ag背場[8]。其中ZnO地膜作為月亮電池組的前后通明導(dǎo)熱電極。ZnO地膜作為前電極的利用務(wù)求：高透過率、低電阻率、絨面構(gòu)造和光學(xué)地膜的增透性(定然的地膜薄厚)。ZnO名義決議了TCO/p-Si界面的面積和光學(xué)特點(diǎn)，極大地莫須有月亮電池組的電學(xué)特點(diǎn)[9]，白文在相反織構(gòu)工夫的ZnO:Al地膜上沉積p-μc-Si:H地膜，鉆研了相反織構(gòu)工夫的ZnO:Al地膜與p-μc-Si:H地膜的接觸特點(diǎn)。

1、試驗(yàn)設(shè)計(jì)及步驟

　　白文用稀HF酸對(duì)ZnO:Al地膜繼續(xù)織構(gòu)，織構(gòu)工夫別離為10s、20s、15s、20s，失去了相反毛糙度的ZnO:Al地膜[10]，而后用PECVD法在它們下面沉積p-μc-Si:H地膜，鉆研名義毛糙度對(duì)接觸特點(diǎn)的莫須有。

　　試驗(yàn)中所有樣品都是在沈科儀生產(chǎn)的星型式高真空PECVD零碎中的P室沉積的，真空室的本底真空為6.67×10-5Pa[11]。射頻電源激起效率為13.56MHz。反響氣體為H2濃縮的10%的硅烷，H2濃縮的0.1%的硼烷和高純H2的混合體。因?yàn)榕饟诫s對(duì)p-μc-Si:H地膜有很大莫須有，從而對(duì)接觸電阻也有很大的莫須有，因而咱們沉積了兩種相反摻雜的p-μc-Si:H地膜，沉積條件別離為：電極間距(d=2cm)，硅烷含量(SiH4%=1%)，硼烷含量(B2H6%=0.1%)，沉積熱度(T=150℃)，氣體總流量(TF=236sccm)，反響氣壓(P=133.3Pa)，沉積功率(PRF=50W)，沉積工夫(t=1h)；電極間距(d=2cm)，硅烷含量(SiH4%=1%)，硼烷含量(B2H6%=0.15%)，沉積熱度(T=150℃)，氣體總流量(TF=200sccm)，反響氣壓(P=133.3Pa)，沉積功率(PRF=50W)，沉積工夫(t=1h)。

　　樣品的接觸特點(diǎn)用I-V探測(cè)儀繼續(xù)了測(cè)量和綜合，所用的儀器為美國吉時(shí)利公司生產(chǎn)的2182A納伏表和2400恒流源。樣品的名義形貌用SEM繼續(xù)了測(cè)量，所用儀器為JSM-6700F/INCA-ENERGY(阿曼電子)。樣品的晶化率用Raman譜繼續(xù)了測(cè)量和綜合，所用的儀器為Renishaw2000。

4、論斷

　　采納PECVD技能，在相反織構(gòu)ZnO:Al地膜上沉積p-μc-Si:H地膜，測(cè)試后果綜合表明：

　　(1)織構(gòu)后的ZnO:Al上沉積的p-μc-Si:H地膜的晶化率均大于未織構(gòu)的ZnO:Al上沉積的p-μc-Si:H地膜，可知絨面無利于p-μc-Si:H地膜的晶化，織構(gòu)工夫?yàn)?5s的ZnO:Al襯底上沉積的p-μc-Si:H地膜的晶化率較高；

　　(2)織構(gòu)后的ZnO:Al與p-μc-Si:H的接觸電阻均小于未織構(gòu)的，織構(gòu)工夫?yàn)?5s的ZnO:Al與p-μc-Si:H接觸電阻也較低，注明織構(gòu)工夫存在*點(diǎn)；

　　(3)增大硼摻雜深淺，在相反織構(gòu)ZnO:Al襯底上沉積的p-μc-Si:H地膜的晶化率與輕摻雜的相比均上升，且接觸電阻均變大。

　　很多成分都會(huì)莫須有ZnO:Al/p-μc-Si:H的接觸特點(diǎn)，它們之間應(yīng)存在一*匹配值，爾后果再有待于進(jìn)一步鉆研。

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