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為什么要在半導(dǎo)體制造中使用冷鏡式露點(diǎn)儀

閱讀:974      發(fā)布時(shí)間:2024-9-2
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  水分對(duì)半導(dǎo)體制造的影響:
 
  水可能是所有生命的基礎(chǔ),但當(dāng)涉及到半導(dǎo)體制造等專業(yè)過程時(shí),它通常是過程中不想要的化合物之一。
 
  水蒸氣的存在不僅在技術(shù)方面,而且對(duì)商業(yè)成果都有非常重要的影響。即使是很少量的水蒸氣也會(huì)在晶片表面帶入雜質(zhì)或?qū)е卵趸瑥亩鴷?huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的電特性產(chǎn)生不利影響。這可能導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低、生產(chǎn)成本增加和制造時(shí)間延長(zhǎng),直接影響盈利能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
 
  在光刻、沉積和蝕刻等關(guān)鍵工藝過程中,對(duì)濕度和水蒸氣的精確控制對(duì)于保持半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)完整性和實(shí)現(xiàn)所需的產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。水蒸氣的有效管理不僅對(duì)于維護(hù)半導(dǎo)體器件所需的高性能標(biāo)準(zhǔn)和可靠性至關(guān)重要,而且對(duì)于確保高效的生產(chǎn)工藝、有力地減少浪費(fèi)和保持強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)地位也至關(guān)重要。
 
  化學(xué)氣相沉積中的水分污染:
 
  化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體行業(yè)中廣泛使用的技術(shù)。它涉及氣相前體的化學(xué)反應(yīng),這些前體在基底表面分解或反應(yīng)以產(chǎn)生固體材料,形成薄膜或涂層。
 
  水分污染直接影響沉積膜的純度和完整性。即使是很低的濕度水平也會(huì)在基底上引入不需要的羥基或催化氧化,導(dǎo)致膜中的瑕疵,對(duì)器件性能產(chǎn)生不好影響。這種瑕疵可導(dǎo)致電不穩(wěn)定性、介電強(qiáng)度降低或折射率變化,嚴(yán)重?fù)p害半導(dǎo)體器件的功能。
 
  為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),在CVD過程中實(shí)施全面的水分控制和減緩策略很重要。關(guān)鍵策略包括使用嚴(yán)格的干氣吹掃、先進(jìn)的真空系統(tǒng)以及結(jié)合干燥劑來消除水分。此外,使用冷鏡式露點(diǎn)儀可以幫助準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)CVD環(huán)境中的水分。這種策略的組合對(duì)于確保沉積符合半導(dǎo)體器件生產(chǎn)所需的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的高質(zhì)量薄膜至關(guān)重要。
 
  等離子體蝕刻中的水分污染:
 
  選擇性蝕刻,通常在光刻階段之后,對(duì)于創(chuàng)建電路設(shè)計(jì)所必需的精確亞微米形狀和圖案至關(guān)重要。該過程涉及使用蝕刻劑氣體,特別是全氟化合物(FFCs),其在晶片基底上方的氬等離子體中被激活。這些氣體與半導(dǎo)體晶片上的特定材料進(jìn)行選擇性反應(yīng),精心雕刻出器件功能所需的復(fù)雜電路圖案。
 
  水分的存在會(huì)顯著影響等離子體的形成,從而影響蝕刻質(zhì)量。因此,在將FFC引入蝕刻機(jī)或CVD室之前,連續(xù)監(jiān)測(cè)FFC中的水分含量被認(rèn)為是很好的方式。
 
  此外,等離子體氣體,包括鹵化物和三氟化氮,也用于腔室清潔。然而,即使是微量水分也會(huì)影響等離子體質(zhì)量和清潔過程的效率。因此,密切監(jiān)測(cè)水分水平對(duì)于保持蝕刻和清潔階段的完整性至關(guān)重要,以確保高質(zhì)量的生產(chǎn)結(jié)果。
 
  半導(dǎo)體制造用水分測(cè)量?jī)x:
 
  PST提供了一系列傳感器和分析儀,用于在半導(dǎo)體制造過程的一系列關(guān)鍵階段測(cè)量水分。其中包括露點(diǎn)變送器,如EA2-TX-100,它能夠檢測(cè)-110至+20°Cdp之間的露點(diǎn),精度為±2°Cdp,以及我們的QMA401,它采用石英晶體微平衡,靈敏度為0.1 ppmV,非常適合用于CVD和蝕刻室。
 
  我們的新產(chǎn)品S8000 RS是一款全自動(dòng)冷鏡露點(diǎn)儀,旨在提高在苛刻條件下微量水分測(cè)量的速度、精度和靈活性。S8000 RS具有高精度,在溫度低至-90°Cfp時(shí)保持±0.1°C的精度。它在應(yīng)用中表現(xiàn)出了優(yōu)異的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性,在-90°Cfp時(shí)很小的變化為±0.05°Cdp,在-80°Cfp時(shí)進(jìn)一步低至±0.025°Cdp。
 
  通過使用復(fù)雜的鍍金銅鏡,該設(shè)備的精度顯著提高。這與精確的冷卻和動(dòng)態(tài)污染修正一起,確保形成一致的冷凝層,有助于準(zhǔn)確可靠的測(cè)量。
 
  我們新款露點(diǎn)儀型號(hào)配備了各種通信選項(xiàng),包括通過USB、TCP/IP的Modbus RTU和4…20mA接口,以及直接到標(biāo)準(zhǔn)SD卡的內(nèi)部數(shù)據(jù)記錄功能。與我們提供的每一款產(chǎn)品一樣,S8000 RS擁有一套全面的技術(shù)和售后服務(wù)支持,確保我們的客戶能夠獲得必要的幫助以獲得很好的性能。
 
為什么要在半導(dǎo)體制造中使用冷鏡式露點(diǎn)儀

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