、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
HDYM-III絕緣子鹽密度測(cè)試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測(cè),是測(cè)量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡(jiǎn)稱“鹽密”)的測(cè)量?jī)x器,同時(shí)還可以測(cè)量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測(cè)量精度高、測(cè)量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ),準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù),是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此,鹽密測(cè)量工作對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn):
GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語(yǔ):
1、參照盤(pán)形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤(pán)形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓(對(duì)于交流系統(tǒng),為相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)NACL總量除以表面積,mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm²。
6、不溶物密度(簡(jiǎn)稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm²。
7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。
9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。
二、功能特點(diǎn)
(1)具有量程自動(dòng)切換功能,測(cè)量速度快(3s/次)。
(2)測(cè)量范圍大,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。
(3)中英文界面可自主切換。
(4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕。
(5)可直接顯示并打印鹽密度、電導(dǎo)率、溫度、污穢等級(jí)、統(tǒng)一爬電比距。
(6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償,直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD)。
(7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能,降低了對(duì)清洗液的要求。
(8)自動(dòng)將不帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)。
(9)可存儲(chǔ)10萬(wàn)組記錄,并可將記錄導(dǎo)出至U盤(pán)或通過(guò)打印機(jī)打印。
(10)可查閱、刪除、導(dǎo)出單條記錄,也可刪除所有記錄。
(11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),適合野外現(xiàn)場(chǎng)使用。
三、產(chǎn)品參數(shù)
3.1 測(cè)量范圍:
鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn))
測(cè)量溫度:0℃~100℃
測(cè)量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm
3.2 基本誤差:
測(cè)量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2
滿量程精度:±2%
測(cè)量溫度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃
測(cè)量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm
3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃。
3.4 環(huán)境濕度: <90%。
3.5 體積與重量
整機(jī)機(jī)箱尺寸:長(zhǎng)356mm*寬260mm*高133mm。
整機(jī)重量:約2.5Kg。
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規(guī)如電流、電壓、頻率、相位、相序、功率、容量、功率因數(shù)、磁通、互感、諧振、
電阻、阻抗、接地、接地電阻、接觸電壓、跨步電壓、過(guò)電壓、防雷、內(nèi)絕緣、外絕緣、絕緣配合、標(biāo)準(zhǔn)絕緣水平等,還深入一些的如功率表的接線和交流耐壓設(shè)備容量的選取等。
絕緣材料:防止導(dǎo)電元件之間導(dǎo)電的材料,如塑料、環(huán)氧樹(shù)脂、油、真空、 SF6氣體、
云母、電容器紙、絕緣漆、陶瓷等,其主要功能是阻斷電流通路,還應(yīng)具有很強(qiáng)的機(jī)械性能和耐熱特性,按照耐熱能力的高低,其有以下幾個(gè)等級(jí):
耐熱等級(jí) | O | A | E | B | F | H | C |
工作溫度(℃) | 90 | 105 | 120 | 130 | 155 | 180 | >180 |
電介質(zhì):能夠被電場(chǎng)極化的物質(zhì),可以理解為絕緣材料。它也有電導(dǎo),但它的泄漏電流很小,即導(dǎo)體和電介質(zhì)的本質(zhì)區(qū)別就在于導(dǎo)體中有可以自由移動(dòng)的帶電質(zhì)點(diǎn),其電阻率很小僅有10-8~10-4Ωm,而電介質(zhì)因?yàn)椴牧显又械脑雍藢?duì)電子的束縛,不能形成自由電子,只是分散的帶電質(zhì)點(diǎn),其電阻率可達(dá)107~1020Ωm。但不導(dǎo)電的電介質(zhì)是不存在的,在外電場(chǎng)的作用下,這些分散的帶電質(zhì)點(diǎn)沿電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)就形成了泄漏電流。泄漏電流可分為表面泄漏和體積泄漏兩部分。
電介質(zhì)的極化:絕緣材料中的帶電質(zhì)點(diǎn)在外電場(chǎng)的作用下沿電場(chǎng)方向的有規(guī)律、有限的移動(dòng),并顯示出極性,當(dāng)外電場(chǎng)消失時(shí)期又恢復(fù)原狀。它分為電子式極化、離子式極化、偶極子式極化、夾層式極化。
電介質(zhì)的損耗:絕緣材料在電場(chǎng)的作用下會(huì)產(chǎn)生泄漏電流和極化現(xiàn)象,這必然伴隨著材料的發(fā)熱和能量的損失。它可分為:電導(dǎo)損耗(既電導(dǎo)電流使介質(zhì)發(fā)熱,交直流電場(chǎng)中都有)、
游離損耗(電壓高于某一值時(shí),局部放電,電壓越高,損耗越大,在交直流電場(chǎng)中都存在)、
極化損耗(只在交變電場(chǎng)中存在,偶極子扭來(lái)扭去,產(chǎn)生摩擦損耗和內(nèi)部電場(chǎng)電勢(shì)的平衡形成的電流產(chǎn)生的損耗)。一般用tgδ來(lái)表述電介質(zhì)的損耗,它只與絕緣材料的性質(zhì)有關(guān),而與它的結(jié)構(gòu)、形狀、幾何尺寸無(wú)關(guān),有以下公式判斷比較:
tgδ = IR / IC = U / R /(朔州絕緣子鹽密度測(cè)試儀價(jià)錢(qián)朔州絕緣子鹽密度測(cè)試儀價(jià)錢(qián)UωC)= 1 / ω R C ①
P = U *(U / R)= U2 ωC tgδ ②
從②式進(jìn)行分析:U與頻率一定時(shí),P ∝ tgδ
由于C = εS / D 對(duì)于同類型的電介質(zhì),其ε是定值,電容基本不變,則可以直接從tgδ值判斷絕緣的優(yōu)劣,是否整體性受潮或者表面臟污等。
電介質(zhì)的吸收現(xiàn)象:絕緣材料在外電場(chǎng)的作用下體現(xiàn)出來(lái)的電流的性質(zhì),可