上海伯東美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù). 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源,
價格電議
美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù). 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機(jī), load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機(jī)等.
美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性
無柵ji
高電流低能量
發(fā)散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode / Neutralize 中和器
美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應(yīng)用
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學(xué)鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設(shè)備預(yù)清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜
霍爾離子源 eH 系列在售型號:
型號 | eH200(停產(chǎn)) | eH400
eH400LE | eH1000
eH1000LE
eH1000LO | eH1000xO2 | eH2000
eH2000LE
eH2000HO | eH3000
eH3000LO
eH3000MO |
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
Cathode/Neutralizer | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC
HC
HC | HC |
陽極電壓 | 30-300V | 50-300V
30-150V | 50-300V
30-150V
50-300V | 100-300V | 50-300V
30-150V
50-250V | 50-250V
50-300V
50-250V |
電流 | 2A | 5A
10A | 10A
12A
5A | 10A | 10A
15A
15A | 20A
10A
15A |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 1-15sccm | 2-25sccm | 2-50sccm | 2-50sccm | 2-75sccm | 5-100sccm |
高度 | 2.0“ | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ |
直徑 | 2.5“ | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ |
水冷 | 無 | 可選 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 霍爾離子源, 請聯(lián)絡(luò)上海伯東羅先生
