德國進(jìn)口Behlke高壓開關(guān)HTS 80-1000-SCR
德國BEHLKE是高壓功率半導(dǎo)體堆棧的市場***。BEHLKE生產(chǎn)的高壓固態(tài)開關(guān)zui高可達(dá)200kV交流和直流單開關(guān)或橋式配置。 BEHLKE擁有600多種標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)和脈沖發(fā)生器的產(chǎn)品系列基于高度靈活的設(shè)計。因此，BEHLKE可以進(jìn)行大量的技術(shù)改進(jìn)，以及完整的定制解決方案。

詳細(xì)介紹

德國進(jìn)口Behlke高壓開關(guān)HTS 80-1000-SCR

德國BEHLKE是高壓功率半導(dǎo)體堆棧的市場***。BEHLKE生產(chǎn)的高壓固態(tài)開關(guān)zui高可達(dá)200kV交流和直流單開關(guān)或橋式配置。 BEHLKE擁有600多種標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)和脈沖發(fā)生器的產(chǎn)品系列基于高度靈活的設(shè)計。因此，BEHLKE可以進(jìn)行大量的技術(shù)改進(jìn)，以及完整的定制解決方案。

要產(chǎn)品：

BEHLKE高壓開關(guān)、BEHLKE高壓脈沖單元、BEHLKE快速恢復(fù)高壓二極管組件

Behlke高壓開關(guān)HTS 80-1000-SCR產(chǎn)品應(yīng)用

用于放電應(yīng)用的穩(wěn)健且廉價的高壓開關(guān)，用于產(chǎn)生與快速高壓FDA續(xù)流二極管相關(guān)的阻尼正弦振蕩

●高峰值電流能力

●*的di / dt，不會影響可靠性和預(yù)期壽命，因為大量單個SCR具有單獨的柵極驅(qū)動

●極度過載容限

●通過簡單的TTL觸發(fā)脈沖（2-5 V）輕松觸發(fā)

●非常緊湊，重量輕●各種冷卻選項

應(yīng)用說明：與具有非常有限的dv / dt和di / dt能力的傳統(tǒng)盤式晶閘管開關(guān)不同，快速BEHLKE晶閘管開關(guān)模塊由大量較小的晶閘管芯片（類型取決于多達(dá)1000個單晶閘管）制成，并聯(lián)連接并且串聯(lián)，使得dv / dt和di / dt有效地***成單個晶閘管的非關(guān)鍵值。每個晶閘管都由其高度同步和隔離的柵極驅(qū)動器發(fā)射。這使得非常短的柵極布線成為可能，并避免了傳統(tǒng)晶閘管開關(guān)設(shè)計中已知的危險熱點。 BEHLKE晶閘管開關(guān)可以安全地以高物理可能的di / dt和dv / dt速率以及盡可能高的峰值電流運(yùn)行，而不會出現(xiàn)任何可預(yù)測的壽命下降。 BEHLKE晶閘管開關(guān)是真正的柵極控制，不會從負(fù)載電路汲取發(fā)射能量。這樣可以安全地從幾乎0 V（提供足夠的咬合電流）切換到大電壓而沒有任何限制。這些開關(guān)的隔離度至少為大工作電壓的150％，因此無需大量工作即可實現(xiàn)開關(guān)應(yīng)用。為了節(jié)省成本和體積，特別是在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用（例如撬棍電路）中，所有BEHLKE晶閘管開關(guān)也可以通過可選的非對稱隔離制造，例如，正極為200 kV，負(fù)極為30 kV。無論工作電壓如何，每個晶閘管開關(guān)型號的定制隔離電壓額定值都可以滿足特殊的隔離電壓要求。 “常規(guī)”隔離電壓選項范圍為40 kV至200 kV（選擇ISO-40，ISO-80，ISO-120，ISO-200）?？筛鶕?jù)要求提供符合歐洲安全標(biāo)準(zhǔn)的“醫(yī)療認(rèn)證”。任何定制電壓在1到150 kV（AC / DC）之間，任何定制的峰值電流在1到100 kA之間，可以在大約4-8周的交付時間內(nèi)完成。如果可以在現(xiàn)有平臺上實現(xiàn)，我們不會為定制交換機(jī)收取額外費用。請咨詢BEHLKE。

為了并聯(lián)多個晶閘管開關(guān)，它們配備了同步I / O. 如果一個開關(guān)由于故障條件（例如，過熱）而關(guān)閉，則該特征確保同步觸發(fā)并禁止其他開關(guān)模塊的觸發(fā)輸入。由于可能由開關(guān)的高di / dt容量引起的強(qiáng)電磁場，建議在所有大型感應(yīng)回路區(qū)域使用單獨的控制單元（選件SEP-C）。

這尤其適用于非常大的開關(guān)模塊以及di / dt> 5 kA /μs。對于具有中小型開關(guān)模塊的應(yīng)用，我們建議使用印刷電路板（終采用多層技術(shù)），以大限度地減少雜散電感并使感應(yīng)回路區(qū)域保持較小。

采用印刷電路板的設(shè)計還保證了整個電子系統(tǒng)的可重現(xiàn)的EMC特性。在任何情況下，請確保負(fù)載圓與控制圓保持適當(dāng)?shù)木嚯x，以避免磁反饋效應(yīng)，否則內(nèi)部安全電子設(shè)備將檢測到故障狀態(tài)，并且開關(guān)將鎖定2秒。每次***后。大多數(shù)開關(guān)通過紅色LED指示。

所有BEHLKE晶閘管開關(guān)均可選配接地冷卻法蘭（選件GCF），帶鍍鎳銅散熱片（選件CF），帶石墨散熱片（選件CF-GRA，帶陶瓷散熱片（選件CF-CER）），帶水冷（選件ILC），直接液體冷卻非導(dǎo)電冷卻劑（選件DLC）或陶瓷冷卻表面（選項CSS）。

為避免高壓電位散熱片的電暈放電，我們建議采用直接液體冷卻（選件DLC）或陶瓷散熱片（選件CF-CER）或水冷（選件ILC），以便在40 kV以上的電壓下進(jìn)行冷卻。

產(chǎn)品代碼：型號包含有關(guān)電壓，電流和開啟行為的編碼信息。第數(shù)字代表以kV為單位的電壓，短劃線前的后一個數(shù)字表示開啟行為（0 =固定導(dǎo)通時間，1 =可變導(dǎo)通時間）。短劃線后面的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。特殊功能在第二個破折號后由字母編碼。示例HTS 60-100-SCR：HTS = HV晶閘管開關(guān)，6 = 6kV，0 =取決于固定導(dǎo)通時間的電流，100 = 1000安培，SCR =硅控制整流器（晶閘管）。

高壓開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，低耦合電容，MOSFET

●多功能高壓開關(guān)，具有真正的繼電器特性

●通過TTL信號實時控制

●由于低耦合電容，簡化了EMC并降低了電容損耗

●LC2技術(shù)，具有*高的瞬態(tài)抗擾度

應(yīng)用說明I：產(chǎn)品組C3的開關(guān)針對控制側(cè)和地的耦合電容進(jìn)行了優(yōu)化。低耦合電容是高重復(fù)率下高效操作的關(guān)鍵?？紤]到低噪聲發(fā)射，良好的EMC特性，穩(wěn)定的操作和高的開關(guān)速度，還希望降低耦合電容。 LC和LC2開關(guān)都能很好地滿足這些要求。但如果它是關(guān)于*高開關(guān)頻率（> 300 kHz），那么串聯(lián)LC的開關(guān)是*選。 LC系列的缺點是它們具有有限的瞬態(tài)抗擾度，這使得它們對于火花，短路，不穩(wěn)定的負(fù)載和不穩(wěn)定的輸入電壓相對敏感。與此相反，LC2系列的開關(guān)設(shè)計用于在惡劣的工作條件下適度的開關(guān)頻率（<300 kHz）。 LC2開關(guān)對不穩(wěn)定負(fù)載（例如等離子負(fù)載）和不穩(wěn)定輸入電壓不敏感。它們可以抵抗其熱功能中的火花，短路和過壓瞬變。

應(yīng)用說明II：BEHLKE固態(tài)開關(guān)具有*的上升和下降時間。如果您的應(yīng)用不需要完整的開關(guān)速度，我們建議您使用速度限制選項S-TT（上升和下降時間減慢約50％）與輸入低通濾波器選項LP結(jié)合使用。速度限制選項有助于*大限度地降低快速高壓脈沖電路典型的高頻困難（例如自振蕩，自重新觸發(fā)，振鈴等），并簡化EMC設(shè)計。

應(yīng)用說明III：快速MOSFET開關(guān)對來自未鉗位電感負(fù)載的反向電流或過大的布線電感相對敏感。

反向電流可能以不確定的方式導(dǎo)通慢速本征（寄生）MOSFET二極管，并可能導(dǎo)致災(zāi)難性的開關(guān)故障，特別是在關(guān)斷階段結(jié)合高關(guān)斷電流。因此，當(dāng)感性負(fù)載或高感應(yīng)線路連接到開關(guān)時，建議將MOSFET開關(guān)始終與快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(luò)（快速串聯(lián)阻斷二極管+并聯(lián)快速續(xù)流二極管）相結(jié)合。

該保護(hù)二極管網(wǎng)絡(luò)可以通過BEHLKE FDA系列的單個二極管安裝在外部。它也可以作為選件I-FWDN集成到開關(guān)模塊中

產(chǎn)品代碼：型號包含有關(guān)電壓，電流和開啟行為的編碼信息。 *一個數(shù)字代表以kV為單位的電壓，短劃線前的*后一個數(shù)字表示開啟行為（0 =固定導(dǎo)通時間，1 =可變導(dǎo)通時間）。短劃線后面的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。特殊功能在第二個破折號后由字母編碼。示例HTS 31-12-LC：HTS = HV晶體管開關(guān)，3 = 3kV，1 =可變導(dǎo)通時間，12 = 120安培，LC =低耦合電容。