高頻介電常數(shù)測(cè)試儀（介電測(cè)試）全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路殘余電感減至低，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

詳細(xì)介紹

一、概述：

ZJD-C型高頻介電常數(shù)測(cè)試儀（介電測(cè)試）作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)高的160MHz.ZJD-C介電常數(shù)儀采用了多項(xiàng)技術(shù)。
雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。
雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路殘余電感減至低，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

二、主要技術(shù)特性：

1	信號(hào)源	DDS數(shù)字合成信號(hào) 100KHZ-160MHZ
2	信號(hào)源頻率精度	3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)
3	Q值測(cè)量范圍	1～1023
4	Q值量程分檔	30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
5	電感測(cè)量范圍	1nH～140mH自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能
6	電容直接測(cè)量范圍	1pF～25nF
7	主電容調(diào)節(jié)范圍	17～240pF
8	準(zhǔn)確度	150pF以下±1pF；150pF以上±1%
9	信號(hào)源頻率覆蓋范圍	100kHz～160MHz
10	合格指示預(yù)置功能范圍	5～1000
11	環(huán)境溫度	0℃～+40℃
12	消耗功率	約25W
13	電源	220V±22V，50Hz±2.5Hz

S916（數(shù)顯）介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)試裝置：
數(shù)顯式微桿，平板電容器：
極片尺寸： 38mm
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
夾具插頭間距：25mm±0.01mm
夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）
測(cè)微桿分辨率：0.001mm
測(cè)試極片：材料測(cè)量直徑Φ38mm厚度可調(diào) ≥ 15mm
*液體杯：測(cè)量極片直徑 Φ38mm；液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm
電感組LKI-1：
分別有0.05μH、0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH十個(gè)電感組成。

三、高頻介電常數(shù)測(cè)試儀（介電測(cè)試）配置：