當(dāng)前位置：沈陽科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司>>化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD等）>>GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積

GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積

返回列表頁

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地

在線詢價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：金查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2020-12-18 11:54:00瀏覽次數(shù)：178次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD等）

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

沈陽科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司

經(jīng)營模式：經(jīng)銷商

商鋪產(chǎn)品：980條

所在地區(qū)：遼寧沈陽市

聯(lián)系人：金（經(jīng)理）

詢價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡介

GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品簡介：GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

產(chǎn)品型號(hào)	GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積
安裝條件	本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備實(shí)驗(yàn)所需氣體氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場(chǎng)地：設(shè)備尺寸2200×2000mm×1500mm，承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要
主要特點(diǎn)	1、所需成膜溫度低 2、沉積速率快，應(yīng)用廣泛 3、體積小，操作簡便 4、采用射頻為增強(qiáng)源易于控制 5、清理安裝便捷。 6、一體化觸摸屏控制
技術(shù)參數(shù)	1、系統(tǒng)采用單室筒式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開門； 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，真空有效尺寸為Φ300mm×300mm； 3、極限真空度：≤6.67x10-4Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級(jí)采用4L/S)；系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S；系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，40分鐘可達(dá)到；停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa； 4、采用樣品在下，噴淋頭在上的電容式耦合方式進(jìn)氣； 5、樣品加加熱溫度：500℃，溫控精度：±1°C，采用控溫表進(jìn)行控溫； 6、噴淋頭尺寸：Φ90mm，噴淋頭與樣品之間電極間距40-100mm在線連續(xù)可調(diào)（可根據(jù)工藝調(diào)整），并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示； 7、沉積工作真空：0.133-133Pa（可根據(jù)工藝調(diào)整）； 8、射頻電源：頻率 13.56MHz，大功率500W，全自動(dòng)匹配； 9、.氣體種類（用戶提供），使用質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。 10、系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(用戶自備)。
產(chǎn)品規(guī)格	整機(jī)尺寸：1200x1500x1500mm；
標(biāo)準(zhǔn)配件	1	電源控制系統(tǒng)	1套
	2	真空機(jī)組	1套
	3	真空測(cè)量	1套