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高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV

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更新時間：2020-12-18 16:51:50瀏覽次數(shù)：236次

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沈陽科晶自動化設備有限公司

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產(chǎn)品簡介

高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV

詳細介紹

產(chǎn)品簡介：高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機組組成，可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″ ）的退火，并采用 10KW的紅外燈進行加熱升溫速度可達 120℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。

產(chǎn)品型號	高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV
安裝條件	本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：不需要 2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設備腔室內(nèi)需充注氣體，需自備氣瓶氣源 4、工作臺：尺寸1600mm×600mm×700mm，承重150kg以上 5、通風裝置：需要
主要特點	1、雙層Al₂O₃纖維鋼構(gòu)，無需水冷或風冷。 2、內(nèi)爐膛表面涂有進口高溫氧化鋁涂層，可以提高設備的加熱效率及延長儀器的使用壽命。 3、PID控制器，可以設置30段升降溫程序，并設有過熱保護和斷偶功能。 4、已通過CE認證。
技術參數(shù)	1、電源：單相208V-240V AC 50Hz/60Hz 10KW 2、石英管：外徑Ø110mm，內(nèi)徑Ø103mm，長380mm 3、加熱元件：8根紅外燈管，燈絲長200mm，絲圈Ø10mm，燈長300mm 4、加熱區(qū)：300mm 5、工作溫度溫度1100℃ 6、控溫精度：±0.5℃ 7升溫速度：RT-800℃時為50℃/s，800℃-1000℃時為10℃/s 8、溫控儀：可控硅（SCR）PID自動控制 9、真空法蘭：不銹鋼，帶有水冷接口和針閥，雙層高溫O型圈密封，長時間在>900℃條件下運行必須采用水　冷，循環(huán)水流量為0.5m³/hr 10、真空度：10^-2torr（機械泵），10^-5torr（分子泵） 11、質(zhì)量流量計：3個，MFC1范圍0-100sccm，MFC2范圍0-200sccm，MFC3范圍0-500sccm，精度1±%FS 12、混氣罐：Ø80mm×120mm
產(chǎn)品規(guī)格	尺寸：爐體760mm×330mm×530mm，真空混氣系統(tǒng)600mm×600mm×597mm 重量：爐體45kg，真空混氣系統(tǒng)75kg