日本filmetrics顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)F54
F54顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)是將微小區(qū)域內(nèi)的高精度膜厚/光學(xué)常數(shù)分析功能與自動(dòng)高速載物臺(tái)相結(jié)合的系統(tǒng)。兼容 2 英寸到 450 毫米的硅基板，它可以以的速度在點(diǎn)測(cè)量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物鏡，測(cè)量光斑直徑可根據(jù)應(yīng)用選擇1μm至100μm。
主要應(yīng)用
抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/多晶硅、拋光硅片、化合物半導(dǎo)體、?T襯底等。 |
| 有機(jī)膜、聚酰亞胺、ITO、單元間隙等 |
產(chǎn)品陣容
模型
F54-UV
F54
F54-近紅外
F54-EXR
F54-UVX
測(cè)量波長(zhǎng)范圍
膜厚測(cè)量范圍
5倍
10倍
15倍
50倍
100倍
準(zhǔn)確性*
190 – 1100nm | 400 – 850nm | 950 – 1700nm | 400 – 1700nm | 190 – 1700nm |
———— | 20nm-40μm | 40nm – 120μm | 20nm – 120μm | ———— |
———— | 20nm – 35μm | 40nm – 70μm | 20nm – 70μm | ———— |
4nm – 30μm | 20nm-40μm | 40nm – 100μm | 20nm – 100μm | 4nm – 100μm |
———— | 20nm – 2μm | 40nm – 4μm | 20nm – 4μm | ———— |
———— | 20nm – 1.5μm | 40nm – 3μm | 20nm – 3μm | ———— |
± 0.2% 薄膜厚度 | ± 0.4% 薄膜厚度 | ± 0.2% 薄膜厚度 | ||
1納米 | 2納米 | 3納米 | 2納米 | 1納米 |
測(cè)量示例
可以測(cè)量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑。
主要特點(diǎn)
結(jié)合基于光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量功能和自動(dòng)高速載物臺(tái)的系統(tǒng)
兼容5x到50x物鏡，測(cè)量光斑直徑可根據(jù)應(yīng)用從1μm到100μm變化。
兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板
環(huán)保在線