井噴式爆發(fā)的VOCs市場，召喚出了大小不一、參差不齊的治理公司，至于治理技術(shù)，也算是重溫了“百家爭鳴、百花齊放"的盛況。在VOCs治理這件事上，南北方還是有   的默契。毫無疑問，活性炭吸附、光催化氧化與低溫等離子技術(shù)   妥妥得承包VOCs治理的前，但光環(huán)籠罩下的陰影   值得注意。

日前，由山西省發(fā)布的《山西省工業(yè)涂裝、包裝印刷、醫(yī)藥制造行業(yè)揮發(fā)性物控制技術(shù)指南》，對低溫等離子與光催化氧化技術(shù)提出以下明確要求：

（1）治理設(shè)施的風量按照   大廢氣排放量的120%進行設(shè)計。低溫等離子體技術(shù)或光催化技術(shù)單獨使用時，僅適用于處理低濃度廢氣或惡臭氣體；治理效率要求   高時，應采用多種技術(shù)的組合工藝。對于含油霧、漆霧或顆粒物的廢氣，應配置   過濾等適宜的預處理工藝。

（2）應首先明確廢氣組分中   大可能的化學鍵鍵能。使用低溫等離子體技術(shù)的，需給出處理裝置設(shè)計的電壓、頻率、電場強度、穩(wěn)定電離能等參數(shù)，同時出具所用電氣元件的出廠合格證；使用光催化氧化技術(shù)的，需給出所用催化劑種類、催化劑負載量等參數(shù)，并出具所用電氣元件的合格證與燈管發(fā)射185nm波段的占比情況檢驗證書。

（3）應盡量延長廢氣在裝置中的反應停留時間，并配備臭氧催化分解單元。

在VOCs圈子里混久了的朋友，都會對下面兩張原理圖很麻木。在此，小編   想用自己的理解及部分數(shù)據(jù)來解讀下這兩種技術(shù)。

低溫等離子技術(shù)

電場激發(fā)出的電子、自由基、激發(fā)態(tài)分子（主要是O3等）等活性物質(zhì)，是低溫等離子體技術(shù)凈化廢氣的關(guān)鍵。VOCs組分解離的難易程度，一方面取決于電子的能量，另一方面還取決于分子中化學鍵的鍵能。電子在放電過程中獲得的能量主要集中在2~12eV之間，而VOCs分子分解所需要能量剛好均在這個區(qū)域內(nèi)。

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目前，產(chǎn)生低溫等離子體的常用方法是電暈放電和介質(zhì)阻擋放電。

電暈放電，是在大氣壓或高于大氣壓條件下，使用電極表面曲率半徑很小的電極，如針狀電極或細線狀電極，由于放電空間電場不均勻，使電離過程主要局限于局部電場很高的電極附近，特別是發(fā)生在曲率半徑很小的電極附近或薄層中，并伴隨明顯光亮的放電現(xiàn)象，一般都發(fā)生在高電壓（大于5kv）和較高頻率（20～40kHz）條件下。

介質(zhì)阻擋放電，是絕緣介質(zhì)覆蓋在電極上或者懸掛在放電空間中的一種氣體放電。當在電極上施加足夠高的交流電壓，電極之間的氣體發(fā)生電離，而電極間的介質(zhì)能起到儲能作用，限制放電電流的自由增長，進而產(chǎn)生大量細絲狀、   的脈沖微放電，均勻穩(wěn)定地充滿整個放電間隙，同時能級間火花或弧光的產(chǎn)生。

采用介質(zhì)阻擋放電方式的等離子體反應器，一般都采用陶瓷、石英等   介質(zhì)材料，電極與廢氣不直接接觸，從而可以   程度避免設(shè)備腐蝕問題。而電暈放電技術(shù)（或針尖放電式）通常是氣體與電極直接接觸的，即使通過的氣體沒有腐蝕性，但等離子體中的活性強氧化物質(zhì)（如臭氧）也可能腐蝕電極。相對而言，采用介質(zhì)阻擋放電方式比電暈放電方式（如針尖放電）      。

值得注意的是，低溫等離子體技術(shù)主要是將分子中的化學鍵打斷，但尚未能將物礦化成CO2和H2O。以某治理項目為例，非甲烷總烴的去除率僅為45%，而惡臭的去除率可達。這主要是因為非甲烷總烴經(jīng)過處理后，大分子變成小分子，用色譜法檢測依然表現(xiàn)為非甲烷總烴；而分解過程中產(chǎn)生的部分異味副產(chǎn)物（如臭氧等）亦會對惡臭的去除率有   影響。

因此，正經(jīng)的低溫等離子體技術(shù)供應商，通常還會在等離子反應器前配置預處理系統(tǒng)，   去除廢氣中的粉塵和水分，并且也會在反應器后再配置后處理系統(tǒng)，延長廢氣與活性物質(zhì)的反應時間，同時對多余的活性物質(zhì)（主要是臭氧）進行分解。

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以小編的理解，高壓電源就是低溫等離子技術(shù)的核心。電壓和頻率是電源能量輸出的兩個重要參數(shù)。

氣體中出現(xiàn)的自由電子只有從   強度的電場中獲得能量成為電子，然后才能與氣體分子發(fā)生碰撞，將能量傳遞給該分子，使該氣體分子的外層電子脫離核的束縛，從而產(chǎn)生   多的自由電子和帶正電的離子。

頻率的提高會增加單位時間內(nèi)局部放電的平均脈沖個數(shù)，放電的重復率增加。但   結(jié)果表明，當電壓   時，污染物的去除率隨頻率的提高先增加后減小。在實際應用中，應充分考慮電源與等離子體反應器的匹配關(guān)系，并充分考慮諧振帶來的影響。

光催化氧化技術(shù)

光催化氧化技術(shù)，主要利用光敏催化劑在   量的光照射下激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對，與吸附在催化劑面積的溶解氧和水分子等發(fā)生作用，進而產(chǎn)生˙OH與˙O2-等強氧化性自由基，再通過與污染物的羥基加和、取代、電子轉(zhuǎn)移等方式礦化，   終實現(xiàn)VOCs的降解。說白了，光催化氧化反應所需的能量主要來源光照能量。

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TiO2具有較高的化學穩(wěn)定性和催化活性，且   ，所以是目前   常用的光催化劑之一。其常用的晶型結(jié)構(gòu)有2種：銳鈦礦型和金紅石型。金紅石型相對   穩(wěn)定，即使在高溫的情況下也難以發(fā)生分解和轉(zhuǎn)化。并且金紅石型TiO2的禁帶寬度為3.0eV，而銳鈦礦型TiO2的禁帶寬度是3.2eV，也就是說，引發(fā)銳鈦礦型TiO2進行光催化反應所需的光能量需大于3.2eV，金紅石型TiO2僅需大于3.0eV。對于銳鈦礦型TiO2，紫外光的激發(fā)波長需要小于387.5nm。

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顧名思義，光催化氧化技術(shù)，那肯定得有“光"和“催化劑"共同作用才行。

對于光，有兩個參數(shù)：波長與光強。只有吸收了   波長范圍內(nèi)的光，TiO2催化劑才可以克服其禁帶的能量，在其表面會產(chǎn)生電子-空穴。   結(jié)果表明，短波長的紫外光，尤其是在185~254nm，   有利于生成   多的˙OH，從而加快光催化反應活性。而表示單位時間內(nèi)、通過單位橫截面光能大小的光強，直接決定了紫外光所提供的總能量是否足以使周圍的TiO2全部參與到反應中來。所以，光催化過程中要反應器內(nèi)布光均勻且紫外光達到   強度。

對于催化劑，其活性組分主要是TiO2。其顆粒粒徑越小，尤其是納米級，比表面與反應面就越大，電子-空穴的簡單復合率就小，光催化活性也就高；若在TiO2中摻雜金屬或非金屬粒子，還可拓展其可接受的光照射響應范圍；因為銳鈦礦型具有強吸附氧氣能力，金紅石型具有較高的光利用率，二者的混晶型物質(zhì)在光催化性能方面的表現(xiàn)要比單一晶型物質(zhì)要好。其它影響光催化活性的因素還包括，孔隙率、平均孔徑、表面電荷、焙燒溫度、純度等。

水蒸氣也是在光催化反應不可忽視的因素。因為水分子提供了可俘獲空穴的羥基，進而產(chǎn)生自由基˙OH，反應中適量的水蒸氣有利于反應的進行，但如果水蒸氣過多，會在TiO2表面產(chǎn)生競爭吸附，反而不利于光催化的進行。

此外，廢氣的初始濃度和在反應器內(nèi)部的停留時間，也直接影響光催化氧化技術(shù)的去除效果。從目前的實驗室數(shù)據(jù)結(jié)果看，在各條件優(yōu)化后的情況下，處理濃度10mg/m3的甲醛尚需30min才能達到70%的去除效率。