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等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)備

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更新時(shí)間：2021-04-28 14:53:36瀏覽次數(shù)：287次

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等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)備放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點(diǎn)是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

詳細(xì)介紹

等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)備

簡(jiǎn)介

等離子體化學(xué)氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡(jiǎn)稱PCVD，是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。
PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激活能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時(shí)整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來需要在高溫下進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下進(jìn)行。

等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)備

射頻等離子體學(xué)氣相沉積是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)中的一種，其特點(diǎn)在于等離子體是高真空度下氣體在射頻交變電場(chǎng)的作用下發(fā)生電離而產(chǎn)生。根據(jù)射頻電場(chǎng)耦臺(tái)形式的不同，可以分為射頻感應(yīng)耦合斌和射頻電容耦合式。
原理及特點(diǎn)
原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。沉積時(shí)，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運(yùn)，氣態(tài)物質(zhì)激活及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點(diǎn)是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。