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行業(yè)產(chǎn)品
武漢普賽斯儀表有限公司
產(chǎn)品型號PMST-3000V
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式
更新時間:2022-02-23 14:03:42瀏覽次數(shù):237次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線測量范圍 | 高達3000V/100mA | 測量精度 | 0.1% |
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外形尺寸 | 19英寸1U機箱mm | 用途 | 0.1% |
重量 | 30kg | Z大輸出功率? | 300W,3000V/100mA(不同型號有差異); |
輸出電壓建立時間? | 5ms; | 輸出接口 | KHV(三同軸),支持四線測量; |
功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達3KV,電流可高達4KA
功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場景。
那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢?
E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
E300高電壓源測單元
HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。
設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設(shè)備可以獨立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測試。
HCPL100型高電流脈沖電源
P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
P系列脈沖源表
功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)簡介
功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。
產(chǎn)品特點
高電壓:支持高達3KV高電壓測試;
大電流:支持高達4KA大電流測試;
高精度:支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量;
豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
模塊化設(shè)計:內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,可自由配置,方便維護;
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);
技術(shù)指標
功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)應(yīng)用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
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