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溫州鑫川越防爆科技有限公司
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閱讀：104發(fā)布時間：2023-1-25
讓我們將其與目前市場上使用的燈泡進行比較。
1、白熾燈和鹵鎢燈，光效12-24流明/瓦。
2、熒光燈和HID燈的發(fā)光效率為50至120流明/瓦。
3、LED防爆燈有望達到250流明/瓦，目前為110流明/瓦，并已成功應(yīng)用實施。
從這個值可以看出，如果條件允許，光源的光效可以更高。您可以無限使用99% 的燈光效果，直到達到99%。
目前，比較可行的提高發(fā)光效率的方法有：
1、LED防爆燈激光剝線技術(shù)（LLO）：
激光剝離技術(shù)(LLO) 使用激光能量區(qū)分GaN/藍寶石界面處的GaN 緩沖層，然后將鉛外延晶片與藍寶石襯底分離。其技術(shù)優(yōu)勢是可以將外延片轉(zhuǎn)移到導(dǎo)熱系數(shù)高的散熱片上，提高了大尺寸芯片的電流膨脹率。 面是發(fā)光面。發(fā)光面積增大，電極小，便于精細布局準(zhǔn)備，減少刻蝕、研磨和劃片。更重要的是，藍寶石基板可重復(fù)使用。
2、LED防爆燈芯片鍵合技術(shù)：
光電設(shè)備對其所需要的數(shù)據(jù)有特定的功能要求，通常要求帶寬差異大，數(shù)據(jù)折射率變化大指數(shù)。不幸的是，通常沒有這種自然信息。而使用同質(zhì)外延生長技術(shù)通常無法構(gòu)建所需的帶寬差異和折射誤差指數(shù)不僅價格昂貴，而且成本高。接觸界面的密度也非常高，難以形成高質(zhì)量的光電集成設(shè)備。這是因為低溫鍵合技術(shù)大大減少了不同材料之間的熱失配，減少了應(yīng)力和位錯，使構(gòu)建高質(zhì)量設(shè)備成為可能。隨著對鍵合機理的逐步了解和鍵合工藝技術(shù)的逐步了解，現(xiàn)在可以將不同材料的各種芯片相互鍵合，形成一些特殊的材料和設(shè)備。
3、led防爆燈透明基板技術(shù)：LED顯示屏通常通過在GaAs襯底上外延生長InGaAlP發(fā)射區(qū)GaP窗口區(qū)來制備。由于GaAs材料的禁帶寬度比InGaAlP小很多，當(dāng)短波長光從發(fā)射區(qū)和窗面進入GaAs襯底時，被吸收，使得光沒有器件的高輸出功率.布喇格反射區(qū)在襯底和限制層之間生長，因此射向襯底的光可以反射回發(fā)射區(qū)或窗口，從而改善器件的發(fā)光特性。一個更有用的方法是先去除GaAs 襯底，然后用透明的GaP 晶體代替它。
4、led防爆燈具外觀微布局技術(shù)：
表面微布局工藝是另一種提高設(shè)備光輸出的有用技術(shù)。這項技術(shù)的基本關(guān)鍵是在芯片表面蝕刻許多小布局，大約是光波長的大小。每個布局看起來像這樣：以截頭四面體的形式，不僅尺寸增大，而且增加了出光面積，改變了光在芯片表面的折射方向，大大提高了透射光功率。測量表明，對于窗口層厚度為20 m 的器件，光輸出可以增加30%。將窗口層的厚度減少到10 m 可使光輸出增加60%。
當(dāng)然，我們還是期待led防爆燈的實際發(fā)光效率，可以達到99%，既節(jié)能又環(huán)保！
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