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多晶硅少子壽命測(cè)試儀

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更新時(shí)間：2024-03-03 14:01:27瀏覽次數(shù)：67次

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中洲測(cè)控（深圳）有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠(chǎng)家

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

多晶硅少子壽命測(cè)試儀ZZ-A13中洲測(cè)控生產(chǎn)的多晶硅少子壽命測(cè)試儀是一款硅片少子壽命測(cè)試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠(chǎng)、出廠(chǎng)檢查，生產(chǎn)工藝過(guò)程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。

詳細(xì)介紹

多晶硅少子壽命測(cè)試儀測(cè)試范圍廣:包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。
適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω?cm(可擴(kuò)展至0.01Ω?cm)，解決了微波光電導(dǎo)無(wú)法檢測(cè)低阻單晶硅的問(wèn)題。
全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過(guò)程，避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無(wú)法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問(wèn)題。
貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。

多晶硅少子壽命測(cè)試儀配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源1、1.07μm波長(zhǎng)紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。2、0.904～0.905μm波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。多金硅少子壽命測(cè)試儀 測(cè)量范圍：1、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。2、拋光面：電阻率在0.1～0.01Ω·㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。可測(cè)范圍：1、分體式：2μS—10ms2、一體式：0.5μS—20ms

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