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江蘇隱石實驗室科技有限公司
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閱讀：49發(fā)布時間：2023-1-7
P. Si、B等雜質元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學濃度差而引起的簡單電化學腐蝕過程，或者是偏析導致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進一步探討。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面"不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
為解決二氧化碳汽提法尿素生產(chǎn)的四種高壓設備，即尿素合成塔、高壓冷凝器、高壓洗滌塔和二氧化碳汽提塔所用Cr - Ni奧氏體不銹鋼的非敏化晶間腐蝕問題，尿素牌號00Cr17Ni14Mo2和00cr25ni22mo2n仍需選擇具有大量成熟使用經(jīng)驗的。但鋼中碳、磷、硅的含量應盡量控制，特別是磷的含量應盡量低。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導致晶界處銅含量較低。
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