鎳基含鉻合金的臨界縫隙腐蝕檢測(cè)報(bào)告國(guó)家認(rèn)可嗎，工業(yè)的發(fā)展，自然需要質(zhì)量的保證，為此金屬檢測(cè)就成為一門(mén)深受工業(yè)界重視的學(xué)科。我們只有通過(guò)檢測(cè)吃透金屬的特性，才能制造出更高質(zhì)量的金屬制品，隨著現(xiàn)代檢測(cè)技術(shù)的不斷發(fā)展，各種新型的檢測(cè)技術(shù)也隨之被金屬腐蝕檢測(cè)挖掘而出。
在金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡下可以清楚地看到，鋼的晶界由于腐蝕而變寬，大多呈網(wǎng)狀，嚴(yán)重的情況下會(huì)出現(xiàn)晶粒脫落。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽(yáng)極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。
σ相晶間沉淀理論:對(duì)于低碳高鉻高鉬不銹鋼，不存在鉻不良條件，但在650 ~ 850℃熱處理時(shí)，會(huì)形成42 ~ 48%的鉻σ相FeCr金屬間化合物。在過(guò)鈍化電位下，相腐蝕嚴(yán)重。陽(yáng)極溶解電流急劇上升。σ可能是相本身的選擇性溶解。σ相FeCr金屬間化合物只能溶解在強(qiáng)氧化介質(zhì)中。因此，必須用65%的強(qiáng)氧化沸騰硝酸檢測(cè)這類(lèi)腐蝕，使不銹鋼的腐蝕電位達(dá)到過(guò)鈍化區(qū)。
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