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更新時(shí)間：2022-11-18 17:53:37瀏覽次數(shù)：186次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線PlasmaPro 80 ICP 英國(guó)牛津OXFORD 等離子體刻蝕機(jī)，是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設(shè)計(jì)允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過(guò)優(yōu)化了的電極冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
PlasmaPro 80 ICP 英國(guó)牛津OXFORD 等離子體刻蝕機(jī)
PlasmaPro 80 ICP是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設(shè)計(jì)允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過(guò)優(yōu)化了的電極冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
。直開式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓
。出色的刻蝕深度和刻蝕速率控制
。出色的晶圓溫度均勻性
。晶圓可達(dá)200mm
。購(gòu)置成本低
。符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用:
· III-V族材料刻蝕工藝
· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
· 二氧化硅和石英刻蝕
· 用于失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
· 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的沉積和刻蝕
特點(diǎn):
· 小型系統(tǒng) —— 易于安置
· 優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制
· 高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱）抽氣結(jié)構(gòu) —— 確保能提升工藝均勻性和速率
· 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
· 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達(dá)到所要求的低真空度
· 關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單
· X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力， 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
· 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷 —— 故障診斷速度快
· 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
· 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
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