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深圳維爾克斯光電有限公司


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Ce:YAG,Ce:YAP,Ce:LYSO 晶體

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更新時(shí)間:2024-02-07 14:48:47瀏覽次數(shù):341次

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產(chǎn)品簡介

Ce:YAG,Ce:YAP,Ce:LYSO 晶體可以吸收伽馬射線或中子等高能輻射,并將該能量轉(zhuǎn)化為可見光子的短脈沖。立陶宛optogama可以提供此類閃爍晶體,有著機(jī)械阻力和穩(wěn)定性,良好的導(dǎo)熱性,衰減時(shí)間快,不吸濕等特點(diǎn)

詳細(xì)介紹

optogama閃爍晶體衰減時(shí)間快,穩(wěn)定性高


optogama 提供高質(zhì)量的閃爍晶體,可吸收伽馬射線或中子等高能輻射,并將該能量轉(zhuǎn)化為可見光子的短脈沖。這些晶體具有密度高、運(yùn)行速度快、輻射硬度大、性價(jià)比高等特點(diǎn)。閃爍晶體可用于科研、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用,可根據(jù)要求提供定制解決方案。

此外,閃爍晶體的訂貨數(shù)量是2件。



Ce:LYSO 晶體

Lu?SiO?: Ce是一種相對較新的閃爍晶體,因其速度快、機(jī)械強(qiáng)度高和耐化學(xué)性好而聞名。

主要特點(diǎn):

衰減時(shí)間快,光輸出高,機(jī)械阻力和穩(wěn)定性,高密度和抗輻射硬度

應(yīng)用:

斷層掃描系統(tǒng) (PET),醫(yī)療XCT,高能物理,輻射探測器,石油測井,安全掃描,伽馬光譜


光譜和熱機(jī)械性能:

密度(g/cm 3)

7.2

熔點(diǎn) (°C)

2050

硬度(莫氏)

5.8

衰減時(shí)間 (ns)

64

有效原子序數(shù)

40-45

發(fā)射峰(nm)

420

光產(chǎn)率(光子/MeV)

29000

光輸出(至 NaI: Tl)

~85%

折射率

1.82

吸濕性


參數(shù)規(guī)格:

尺寸

陣列

長度

鍍膜

面尺寸公差

長度公差

SKU

4x4 mm

16

/

+/-0.15

+/-0.15

19587

8 x 8 mm

64

/

+/-0.15

+/-0.15

19588

16 x16 mm

256

/

+/-0.15

+/-0.15

19589



Ce:YAG 晶體

Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的機(jī)械性能和耐化學(xué)性,可用于環(huán)境的檢測,并能用薄型屏幕進(jìn)行生產(chǎn)。它還具有很高的發(fā)光效率,其峰值發(fā)射(550nm)可以與硅光電二極管探測器器件有效耦合。

主要特點(diǎn)

機(jī)械阻力和穩(wěn)定性,良好的導(dǎo)熱性,衰減時(shí)間快,不吸濕

應(yīng)用:

低能輻射和阿爾法粒子檢測,電子和X射線成像屏幕,β和X射線計(jì)數(shù)


光譜和熱機(jī)械性能:


密度(g/cm 3

4.56

熔點(diǎn) (°C)

1970

硬度(莫氏)

8.5

衰減時(shí)間 (ns)

70

有效原子序數(shù)

32

發(fā)射峰(nm)

550

光產(chǎn)率(光子/MeV

15000

光輸出(至 NaI: Tl

40%

折射率

1.82

吸濕性

能量分辨率

<8%



參數(shù)規(guī)格:

尺寸

厚度

鍍膜

表面平整度

表面質(zhì)量

面尺寸公差

長度公差

SKU

10 x 10 mm

1 mm

L/2

40/20 S/D

+/-0.15

+/-0.15

19562

20 x 20 mm

1 mm

L/2

40/20 S/D

+/-0.15

+/-0.15

19563

10 x 10 mm

1 mm

L/2

40/20 S/D

+/-0.15

+/-0.15

19564

20 x 20 mm

1 mm

L/2

40/20 S/D

+/-0.15

+/-0.15

19565



Ce:YAP晶體

Ce:YAP閃爍體是一種快速、機(jī)械強(qiáng)度高、耐化學(xué)腐蝕的閃爍晶體。其高機(jī)械性能使其能夠進(jìn)行精密加工,并且可以在晶體的入口表面直接沉積一層非常薄的鋁層來制作入口窗口。

主要特點(diǎn):

機(jī)械阻力和穩(wěn)定性,衰減時(shí)間快,不吸濕

應(yīng)用:

伽瑪和 X 射線計(jì)數(shù),電子顯微鏡,X 射線成像屏幕,斷層掃描系統(tǒng);


光譜和熱機(jī)械性能:

密度(g/cm 3

5.4

熔點(diǎn) (°C)

1875

硬度(莫氏)

8.5

衰減時(shí)間 (ns)

25

發(fā)射峰(nm)

370

光產(chǎn)率(光子/MeV

25000

光輸出(至 NaI: Tl

70%

折射率

1.96

吸濕性

能量分辨率

<5%


參數(shù)規(guī)格:

尺寸

厚度

鍍膜

表面平整度

表面質(zhì)量

面尺寸公差

長度公差

SKU

10 x 10 mm

1 mm

L/2

40/20 S/D

+/-0.15

+/-0.15

19582

20 x 20 mm

1 mm

L/2

40/20 S/D

+/-0.15

+/-0.15

19586


關(guān)鍵詞:電子顯微鏡

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