碲化鋅,硒化鎵太赫茲晶體，應(yīng)用于太赫茲光源與探測(cè)器
EKSMA Optics從1983年開始為各個(gè)科學(xué)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)機(jī)械元件，根據(jù)客戶給的圖紙和制造規(guī)格，可提供定制光學(xué)和晶體組件服務(wù)，也有標(biāo)準(zhǔn)品庫存快速現(xiàn)貨交付。EKSMA Optics主要產(chǎn)品為激光器、激光系統(tǒng)和儀器的精密激光組件，為工業(yè)、醫(yī)療、美學(xué)、科學(xué)和國(guó)防市場(chǎng)的不同激光和光子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供服務(wù)。
GaSe,ZnTe太赫茲晶體主要應(yīng)用領(lǐng)域：
- 太赫茲時(shí)域系統(tǒng)
- 太赫茲源晶體
- 中遠(yuǎn)紅外氣體探測(cè)
- CO2激光的SHG
- THZ實(shí)驗(yàn)光源
- 太赫茲成像
- 太赫茲發(fā)射器-檢測(cè)器系統(tǒng)
EKSMA Optics目前有售用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射的GaSe,ZnTe太赫茲晶體（硒化鎵THz晶體，碲化鋅THz晶體）。ZnTe和GaSe晶體 Eksma具有高損傷閾值，太赫茲ZnTe晶體和GaSe晶體可產(chǎn)生極短且高質(zhì)量的太赫茲脈沖。
110晶向的太赫茲晶體ZnTe通過光學(xué)整流過程產(chǎn)生太赫茲。光學(xué)整流效應(yīng)是一種二階非線性效應(yīng)。脈沖激光照射到非線性介質(zhì)晶體，脈沖激光的各個(gè)單色分量之間會(huì)在樣品中通過差頻振蕩現(xiàn)象產(chǎn)生一個(gè)隨時(shí)間變化的電極化場(chǎng)，該電極化場(chǎng)將產(chǎn)生太赫茲。
還可利用110晶向的太赫茲晶體ZnTe基于自由空間電光技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲脈沖的探測(cè)。在自由空間光電采樣系統(tǒng)里太赫茲光束和線偏振光束在ZnTe太赫茲源內(nèi)共線傳播。太赫茲光束產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)影響ZnTe太赫茲源晶體的復(fù)折射率，最終改變線偏振光，自由光電采樣系統(tǒng)能檢測(cè)和放大這種改變并轉(zhuǎn)為更直觀的強(qiáng)度變化來繪制太赫茲脈沖幅度。
讀出完整電場(chǎng)（包括幅度和時(shí)延）的能力是太赫茲時(shí)域光譜的一大特色。太赫茲ZnTe晶體Eksma還能用于紅外光學(xué)元件基板和真空沉積。ZnTe太赫茲晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號(hào)：ZnTe-100H，ZnTe-200H，ZnTe-500H，ZnTe-1000H，ZnTe-2000H，ZnTe-3000H。
注： ZnTe太赫茲晶體含有微氣泡，它們?cè)谡彰骶w的投影中可見。然而，這并不影響太赫茲的產(chǎn)生。我們不接受有關(guān)水晶中存在氣泡的投訴。
使用GaSe晶體Eksma產(chǎn)生的太赫茲能達(dá)到41THz的大帶寬。GaSe太赫茲源是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體，擁有62m空間點(diǎn)群的六邊形結(jié)構(gòu)，300K時(shí)的帶隙為2.2eV。GaSe太赫茲晶體有著高激光損傷閾值（可達(dá)3.7 J/cm2），很大的非線性光學(xué)系數(shù)（54pm/V），比較合適的透明范圍(0.65-18μm)，和足夠低的吸收系數(shù)（α＜0.01cm-1），使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的重要解決方案。由于使用20fs的飛秒激光源產(chǎn)生和檢測(cè)寬帶太赫茲，GaSe太赫茲源制作的太赫茲發(fā)射器-檢測(cè)器系統(tǒng)性能被認(rèn)為可以達(dá)到與使用太赫茲ZnTe晶體相當(dāng)甚至更好的結(jié)果。使用合適厚度的太赫茲GaSe晶體可以實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波產(chǎn)生和探測(cè)系統(tǒng)的頻率選擇。太赫茲GaSe晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號(hào)：GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。
注：由于GaSe太赫茲晶體的解理面為(001)，對(duì)該晶體使用有一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。
太赫茲晶體ZnTe,GaSe性能優(yōu)勢(shì)：
- 產(chǎn)生太赫茲能達(dá)到有非常寬的頻域
- 抗損傷閾值高
- 非線性系數(shù)大
- 多種尺寸可選
- 客戶導(dǎo)向的解決方案
- 接受客戶定制服務(wù)
ZnTe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù)：
| 型號(hào) | 尺寸(mm) | 厚度(mm) | 支架(mm) | 參考價(jià)格(歐元) |
| ZnTe-100H | 10x10 | 0.1 | ?25.4 | 2145 |
| ZnTe-200H | 10x10 | 0.2 | ?25.4 | 1880 |
| ZnTe-500H | 10x10 | 0.5 | ?25.4 | 1420 |
| ZnTe-1000H | 10x10 | 1.0 | ?25.4 | 1570 |
| ZnTe-2000H | 10x10 | 2.0 | ?25.4 | 1790 |
| ZnTe-3000H | 10x10 | 3.0 | ?25.4 | 2510 |
GaSe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù)：
| 型號(hào) | 通光孔徑(mm) | 厚度(µm) | 支架(mm) | 參考價(jià)格(歐元) |
| GaSe-10H1 | ?7 | 10 | ?25.4 | 1950 |
| GaSe-30H1 | ?7 | 30 | ?25.4 | 1625 |
| GaSe-100H1 | ?7 | 100 | ?25.4 | 1475 |
| GaSe-500H1 | ?7 | 500 | ?25.4 | 1460 |
| GaSe-1000H1 | ?7 | 1000 | ?25.4 | 1635 |
| GaSe-2000H1 | ?7 | 2000 | ?25.4 | 1810 |
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