M2儀分為普通版本以及高功率版本，通過配置風(fēng)冷束流采樣器，可以實現(xiàn)高達4 KW功率的檢測，從而保護探測頭不受功率損傷。
由于Beam Analyzer應(yīng)用刀口式掃描的原理，需要通過刀口截取激光面，因此無法實現(xiàn)對脈沖激光的檢測。為了滿足用戶對測量激光種類的需求，以色列DUMA公司為用戶提供了特殊型號選擇，M2Beam-U3-VIS-NIR。該型號采取CMOS傳感器搭配移動平臺，可以實現(xiàn)對220-1600nm波段脈沖激光的測量，解決了用戶對脈沖激光檢測的需求。刀口式掃描分析原理的測量精度與光束尺寸無關(guān)，因此對于微米級的激光束，刀口掃描式分析相比于狹縫或針孔式原理的測量精度略高，M2Beam激光光束分析儀可以實現(xiàn)實時監(jiān)控激光光束質(zhì)量，配置USB3.0接口，通過連接移動端，實現(xiàn)數(shù)據(jù)快速傳輸以及便捷使用。
以色列DUMA公司提供的M2因子測量儀由七刀口式Beam Analyzer和移動平臺組成，通過采集多個測量面實現(xiàn)對M2因子的測量，整體準(zhǔn)確度保持在±5％范圍內(nèi)，滿足用戶對光束質(zhì)量參數(shù)的需求，主要包括M2因子，發(fā)散角以及束腰參數(shù)等數(shù)據(jù)的檢測。
M2儀產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)：
-輸入光束
| 激光質(zhì)量分析儀 | M2Beam | M2Beam U3 |
| 技術(shù)工藝 | 刀口式掃描原理，應(yīng)用Si探測器，InGaAs探測器和增強型InGaAs探測器 | USB 3.0接口 CMOS 2.4MP 內(nèi)置過濾論 |
| 光譜響應(yīng)（nm） | SI傳感器：350-1100 InGaAs傳感器：800-1800 Enhanced InGaAs 傳感器：800-2700 | VIS-NIR：350-1600 UV-NIR：220-1350 |
| 激光功率范圍 | Si：100 μW-1 W（帶衰減片） InGaAs&UV：100 μW-5 mW HP：4 kW以下 | 10μW-100mW，內(nèi)置濾光輪 HP：4 kW |
| 刀口數(shù) | 7 | — |
| 光束尺寸 | 帶透鏡高達25mm直徑（Si&UV版本） |
| 束腰到透鏡距離 | 2.0~2.5米 最小2米 |
-掃描裝配附件
| 材質(zhì) | 鋁 |
| 透鏡焦距 | 300mm（在632.6nm時） |
| 透鏡直徑 | 25mm |
| 掃描次數(shù) | 140 |
| 最小步進尺寸 | 100μm |
| 掃描長度 | 280mm |
-整機
| 重量 | 2.5kg |
| 尺寸 | 100×173×415 mm |
| 托架 | M6或1/4“固定 |
| 機械調(diào)整 | 水平角：±1.5°，垂直角：±1.5° |
| 電纜長度 | 2.5m |
M2儀產(chǎn)品特點：
-可檢測連續(xù)激光以及脈沖激光
-的斷層圖像重建技術(shù)
-25mm光束尺寸測量
-USB3.0接口快速數(shù)據(jù)傳輸
-激光質(zhì)量監(jiān)控
-可配置采樣器，實現(xiàn)高功率激光檢測
-即插即用，使用便捷
M2因子測量儀訂購信息：
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams
