產(chǎn)品簡介：VTC-600-1HD單靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-1HD單靶磁控濺射儀配備有一個靶槍，可選擇強磁靶或弱磁靶，弱磁靶用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，且可使用的材料范圍廣，是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。
| 產(chǎn)品型號 | VTC-600-1HD單靶磁控濺射儀 |
| 產(chǎn)品型號 | VTC-600-1HD |
| 安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶Ø6mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、工作臺：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要 |
| 主要特點 | 1、可選一個靶槍，配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜或配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。 2、可制備多種薄膜，應(yīng)用廣泛。 3、體積小，操作簡便。 |
| 技術(shù)參數(shù) | 1、電源電壓：220V 50Hz 2、功率：<1KW（不含真空泵） 3、極限真空度：9.0×10-4Pa 4、樣品臺加熱溫度：RT-500℃，精度±1℃（可根據(jù)實際需要提升溫度） 5、靶槍數(shù)量：1個（可選配其他數(shù)量） 6、靶槍冷卻方式：水冷 7、靶材尺寸：Ø2″，厚度0.1-5mm（因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同） 8、直流濺射功率：500W；射頻濺射功率：300W。（靶電源種類可選，可選擇直流或射頻電源） 9、載樣臺：Ø140mm，可根據(jù)客戶需求選配加裝偏壓功能，以實現(xiàn)更高質(zhì)量的鍍膜。 10、載樣臺轉(zhuǎn)速：1rpm-20rpm內(nèi)可調(diào) 11、工作氣體：Ar等惰性氣體 12、進氣氣路：質(zhì)量流量計控制2路進氣，一路為100SCCM，另一路為200SCCM。 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 1、主機尺寸：500mm×560mm×660mm 2、整機尺寸：1300mm×660mm×1200mm 3、重量：160kg 4、真空室規(guī)格：φ300×300mm |
| 標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 直流電源控制系統(tǒng) | 1套（可選） |
| 2 | 射頻電源控制系統(tǒng) | 1套（可選） |
| 3 | 膜厚監(jiān)測儀系統(tǒng) | 1套 |
| 4 | 分子泵（德國進口） | 1臺 |
| 5 | 冷水機 | 1臺 |
| 6 | 冷卻水管（Ø6mm） | 4根 |
| 可選配件 | 金、銦、銀、白金等各種靶材 |
直流濺射,又稱陰極濺射或二極濺射
濺射條件：工作氣壓10pa左右，濺射電壓3000V，靶電流密度0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于0.1mm/min。
工作原理：先讓惰性氣體（通常為Ar氣）產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子；帶電離子緊電場加速撞擊靶材表面，使靶材原子被轟擊而飛出來，同時產(chǎn)生二次電子，再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子；靶材原子攜帶著足夠的動能到達被鍍物（襯底）的表面進行沉積。隨著氣壓的變化，濺射法薄膜沉積速率將出現(xiàn)一個極大值，但氣壓很低的條件下，電子的自由程較長，電子在陰極上消失的幾率較大，通過碰撞過程引起氣體分子電離的幾率較低，離子在陽極上濺射的同時發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相對較小，這些均導(dǎo)致低氣壓條件下濺射的速率很低。在壓力1Pa時甚至不易維持自持放電！隨著氣壓的升高，電子的平均自由程減小，原子的電離幾率增加，濺射電流增加，濺射速率增加。
適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬,如Au,Ag,Pt等
射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術(shù)。
工作條件：射頻濺射可以在1Pa左右的低壓下進行，濺射電壓1000V，靶電流密度1.0 mA/cm2，薄膜沉積速率0.5mm/min。
工作原理：人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替，當(dāng)濺射靶處于正半周時，電子流向靶面，中和其表面積累的正電荷，并且積累電子，使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓，導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半周期時吸引正離子轟擊靶材，從而實現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大，遷移率小，不像電子那樣很快地向靶表面集中，所以靶表面的點位上升緩慢，由于在靶上會形成負(fù)偏壓，所以射頻濺射裝置也可以濺射導(dǎo)體靶。在射頻濺射裝置中，等離子體中的電子容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩，因此，電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。
優(yōu)點：1、可在低氣壓下進行，濺射速率高。
2、不僅可濺射金屬靶，也可濺射絕緣靶，可以把導(dǎo)體，半導(dǎo)體，絕緣體中的任意材料薄膜化。
3、必須十分注意接地問題。
適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導(dǎo)體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣層的靶材.如Al,Ti,Mg等金屬以及TiQ2,ZnO等氧化物靶材.
